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资料编号:907036
 
资料名称:2SA1649-Z
 
文件大小: 143K
   
说明
 
介绍:
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
 
 


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文档 非. d15588ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 april 2002 n cp(k)
打印 在 日本
硅 电源 晶体管
2sa1649, 2sa1649-z
pnp 硅 外延的 电源 晶体管
为 高-速 切换
数据 薄板
这 信息 在 这个 文档 是 主题 至 改变 没有 注意. 在之前 使用 这个 文档, 请
confirm 那 这个 是 这 最新的 版本.
不 所有 设备/类型 有 在 每 country. 请 审查 和 local nec 代表 为
有效性 和 额外的 信息.
©
2002
速 切换 和 特性 一个 非常 低 集电级-至-发射级
饱和 电压.
这个 晶体管 是 完美的 为 使用 在 切换 regulators, 直流/直流
转换器, 发动机 驱动器, solenoid 驱动器, 和 其它 低-电压
电源 供应 设备, 作 好 作 为 高-电流 切换.
特性
有 为 高-电流 控制 在 小 维度
z 类型 是 一个 含铅的 processed 产品 和 是 deal 为 挂载 一个
混合的 ic.
模型 包装 那 做 不 需要 一个 insulating 板 或者
绝缘 bushing
低 集电级 饱和 电压:
V
ce(sat)
=
0.3 v 最大值 (@i
C
=
3 一个)
快 切换 速:
t
f
= 0.3
µ
s 最大值 (@i
C
=
3 一个)
高 直流 电流 放大器 和 极好的 线性
绝对 最大 比率 (ta = 25
°
°°
°
c)
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
40
V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
30
V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
7.0
V
集电级 电流 (直流) I
c(直流)
10
一个
集电级 电流 (脉冲波) I
c(脉冲波)
*
20
一个
根基 电流 (直流) I
b(直流)
3.5
一个
总的 电源 消耗
P
T
(tc = 25
°
c)
15 W
总的 电源 消耗
P
T
(ta = 25
°
c)
1.0**, 2.0*** W
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
55 至 +150
°
C
包装 绘画 (单位: mm)





*: PW
300
µ
s, 职责 循环
10%
**: printing 板 挂载
***: 7.5 mm
2
×
0.7 mm 陶瓷的 板 挂载
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