kst-2069-000
2
绝对 最大 比率
Ta=25
°
°°
°
C
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
30 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
20 V
发射级-根基 电压 V
EBO
4V
集电级 电流 I
C
20 毫安
集电级 消耗 P
C
150 mW
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 范围 T
stg
-55~150
°
C
电的 特性
Ta=25
°
°°
°
C
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-根基 损坏 电压 BV
CBO
I
C
=10
µ
一个, i
E
=0 30 - - V
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CEO
I
C
=5ma, i
B
=0 20 - - V
发射级-根基 损坏 电压 BV
EBO
I
E
=10
µ
一个, i
C
=0 4 - - V
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
=30v, i
E
=0 - - 0.5
µ
一个
发射级 截-止 电流 I
EBO
V
EB
=4v, i
C
=0 - - 0.5
µ
一个
直流 电流 增益 h
FE
*
V
CE
=6v, i
C
=1mA 40 - 240 -
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
=10ma, i
B
=1mA - - 0.3 V
晶体管 频率 f
T
V
CE
=6v, i
E
=-1ma - 550 - MHz
集电级 输出 电容 C
ob
V
CB
=6v, i
E
=0, f=1mhz - 1.4 - pF
* : h
FE
分级 / r : 40~80, o : 70~140, y : 120~240
2SC5345SF
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