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资料编号:908263
 
资料名称:2SK3561
 
文件大小: 227K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)
 
 


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2SK3561
2005-01-26
4
R
ds (在)
– tc
流-源 电压 V
DS
(v)
电容 – v
DS
电容 c (pf)
一般 源
V
GS
=
0 v
f
=
1 mhz
Tc
=
25°C
1
0.1
10
100
1000
10000
1 10 100
C
iss
C
oss
C
rss
160
40 0 40 80 120
80
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
I
D
=
8 一个
2
4
情况 温度 tc (°c)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(
)
一般 源
V
GS
=
10 v
脉冲波 测试
流 电源 消耗
P
D
(w)
情况 温度 tc (°c)
P
D
– tc
60
0
0 40 80 120160
20
40
I
DR
– v
DS
流-源 电压 V
DS
(v)
流 反转 电流 I
DR
(一个)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
0
0.1
0.2
1
10
100
0.4
0.6
0.8
V
GS
=
0,
1 v
10
3
1
5
1.0
1.2
总的 门 承担 Q
g
(nc)
门-源 电压 V
GS
(v)
动态 输入 / 输出
特性
流-源 电压 V
DS
(v)
一般 源
I
D
=
8 一个
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
0 10 20
V
DD
=
100 v
V
DS
V
GS
400
200
30
50
40
500
400
300
200
100
0
20
16
12
8
4
0
V
th
– tc
门 门槛 电压
V
th
(v)
情况 温度 tc (°c)
0
1
2
3
5
80
40 0 40 80 120 160
4
一般 源
V
DS
=
10 v
I
D
=
1 毫安
脉冲波 测试
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