典型 效能 特性
MTE 明确的 特性
LM4866MTE
THD+N vs 输出 电源
LM4866MTE
THD+N vs 频率
20018637
20018638
LM4866MTE
THD+N vs 输出 电源
LM4866MTE
THD+N vs 频率
20018639
20018640
LM4866MTE
电源 消耗 vs 电源 输出
LM4866MTE
(便条 18)
电源 减额 曲线
20018641
20018642
便条 18:
这个 曲线 显示 这 LM4866MTE’s 热的 消耗 能力 在 不同的 包围的 温度 给 这些 情况:
500LFPM + 电子元件工业联合会 板:
这 部分 是 焊接 至 一个 1S2P 20-含铅的 exposed-dap TSSOP 测试 板 和 500 直线的 feet 每 分钟 的 强迫-空气 流动 横过
它.
板 信息
- 铜 维度: 74x74mm, 铜 coverage: 100% (buried layer) 和 12% (顶/bottom layers), 16 vias 下面 这 exposed-dap.
500LFPM + 2.5in
2
:
这 部分 是 焊接 至 一个 2.5in
2
, 1 oz. 铜 平面 和 500 直线的 feet 每 分钟 的 强迫-空气 流动 横过 它.
2.5in
2
:
这 部分 是 焊接 至 一个 2.5in
2
, 1oz. 铜 平面.
不 连结:
这 部分 是 不 焊接 向下 和 是 不 强迫-空气 cooled.
LM4866
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