AT89LV55
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图示 9.
程序编制 这 flash 记忆
碎片 擦掉:
这 全部 flash 排列 是 erased 用电气
用 使用 这 恰当的 结合体 的 控制 信号 和 用
支持 ale/prog
低 为 10 ms. 这 代号 排列 是 写
和 所有 1s. 这 碎片 擦掉 运作 必须 是 executed
在之前 这 代号 记忆 能 是 reprogrammed.
读 这 signature 字节:
这 signature 字节 是
读 用 这 一样 程序 作 一个 正常的 verification 的
locations 030h, 和 031h, 除了 那 p3.6 和 p3.7 必须
是 牵引的 至 一个 逻辑 低. 这 值 returned 是 作 跟随:
(030h) = 1eh indicates 制造的 用 atmel
(031h) = 65h indicates 89lv55
(032h) = ffh indicates 12v 程序编制
程序编制 接口
每 代号 字节 在 这 flash 排列 能 是 写, 和 这
全部 排列 能 是 erased, 用 使用 这 适合的 combi-
nation 的 控制 信号. 这 写 运作 循环 是 自-
安排时间 和 once initiated, 将 automatically 时间 它自己 至
completion.
所有 主要的 程序编制 vendors 提供 worldwide 支持 为
这 atmel 微控制器 序列. 请 联系 your local
程序编制 vendor 为 这 适合的 软件 修订.
图示 10.
verifying 这 flash 记忆
p1.0 - p1.7
p3.6
p2.0 - p2.5
a0-a7
地址.
0000h/4fffh
看 FLASH
程序编制
模式 表格
3-12 MHz
A8 - A13
A14*
P0
+5V
p2.7
PGM
DATA
PROG
v/v
i h PP
V
i h
ALE
p3.7
XTAL2 EA
RST
PSEN
XTAL1
地
V
CC
AT89LV55
p2.6
p3.0
*programming 地址 线条 a14 (p3.0) 是 不 这 一样
作 这 外部 记忆 地址 线条 a14 (p2.6)
p1.0 - p1.7
p3.6
p2.0 - p2.5
a0-a7
地址.
0000h/4fffh
看 FLASH
程序编制
模式 表格
3-12 MHz
A8 - A13
A14*
P0
+5V
p2.7
PGM 数据
(使用 10K
pullups)
V
i h
V
i h
ALE
p3.7
XTAL2 EA
RST
PSEN
XTAL1
地
V
CC
AT89LV55
p2.6
p3.0
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