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bc 847pn
半导体 组
May-12-19982
电的 特性
在
T
一个
=25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性 每 晶体管
集电级-发射级 损坏 电压 
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
v-
V
(br)ceo
-45
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10 µa,
I
B
= 0
- -
V
(br)cbo
50
集电级-发射级 损坏 电压 
I
C
= 10 µa,
V
是
= 0
V
(br)ces
50 --
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
--
V
(br)ebo
5
集电级 截止 电流 
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0
15 nA-
I
CBO
-
µA集电级 截止 电流 
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
- -
I
CBO
5
h
FE
-
200
-
630
250
290
直流 电流 增益  1)
I
C
= 10 µa,
V
CE
= 5 v
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v
-
mV
300
650
集电级-发射级 饱和 voltage1) 
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
-
-
90
200
V
CEsat
根基-发射级 饱和 电压  1) 
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
700
900
V
BEsat
-
-
-
-
根基-发射级 电压  1) 
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 v
V
是(在)
580
-
660
-
750
820
1) 脉冲波 测试: t < 300
µ
s; d < 2%

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bc 847pn 半导体组 May-12-19982 电的特性在 T 一个 =25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值直流特性每晶体管集电级-发射级损坏电压 I C = 10 毫安, I B = 0 v- V (br)ceo -45 集电级-根基损坏电压 I C = 10 µa, I B = 0 - - V (br)cbo 50 集电级-发射级损坏电压 I C = 10 µa, V 是 = 0 V (br)ces 50 -- 发射级-根基损坏电压 I E = 10 µa, I C = 0 -- V (br)ebo 5 集电级截止电流 V CB = 30 v, I E = 0 15 nA- I CBO - µA集电级截止电流 V CB = 30 v, I E = 0 , T 一个 = 150 °c - - I CBO 5 h FE - 200 - 630 250 290 直流电流增益 1) I C = 10 µa, V CE = 5 v I C = 2 毫安, V CE = 5 v - mV 300 650 集电级-发射级饱和 voltage1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 I C = 100 毫安, I B = 5 毫安 - - 90 200 V CEsat 根基-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 I C = 100 毫安, I B = 5 毫安 700 900 V BEsat - - - - 根基-发射级电压 1) I C = 2 毫安, V CE = 5 v I C = 10 毫安, V CE = 5 v V 是(在) 580 - 660 - 750 820 1) 脉冲波测试: t < 300 µ s; d < 2%

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