Si4483EDY
vishay siliconix
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2
文档 号码: 72862
s-42139—rev. b, 15-十一月-04
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
−
250
一个
−
1.0 3.0 V
门 身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
4.5
V
1
一个
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
25
V
10 毫安
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
30 v, v
GS
= 0 v
−
1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 70
C
−
10
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
=
−
5 v, v
GS
=
−
10 v
−
30 一个
流 源 在 状态 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
14 一个 0.007 0.0085
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
11一个 0.0115 0.014
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
−
15
v,I
D
=
−
14 一个
60 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=
−
2.7 一个, v
GS
= 0 v
−
0.74
−
1.1 V
动态
b
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
10 15
上升 时间 t
r
V
DD
=
−
15 v, r
L
= 15
20 30
s
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
=
−
15 v,R
L
= 15
I
D
−
1 一个, v
GEN
=
−
10 v, r
g
= 6
42 65
s
下降 时间 t
f
50 80
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 ratings 仅有的, 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
30
100
06
门电流 vs. 门-源电压
0 5 10 15 20 25 30
门-电流 vs. 门-源电压
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
0.0001
0.1
1
10
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
T
J
= 150
C
12 18
8
6
4
2
0
24
T
J
= 25
C
0.01
0.001
I
GSS
−
门 电流 (毫安)
I
GSS
−
门 电流 (毫安)