CY7C1352B-133AC_集成电路资料查询网

CY7C1352B
初步的
6
最大 比率
(在之上 这个 这 有用的 生命 将 是 impaired. 为 用户 手册-
线条, 不 测试.)
存储 温度
..................................... −
65
°
c 至 +150
°
C
包围的 温度 和
电源 应用
.................................................. −
55
°
c 至 +125
°
C
供应 电压 在 v
DD
相关的 至 地
.........−
0.5v 至 +4.6v
直流 电压 应用 至 输出
在 高 z 状态
[7]
.....................................−
0.5v 至 v
DDQ
+ 0.5v
直流 输入 电压
[7]
..................................−
0.5v 至 v
DDQ
+ 0.5v
电流 在 输出 (低)......................................... 20 毫安
静态的 释放 电压 .......................................... >2001v
(每 mil-标准-883, 方法 3015)
获得-向上 电流.................................................... >200 毫安
运行 范围
范围
包围的
温度
[8]
V
DD
/v
DDQ
Com
’
l 0
°
c 至 +70
°
C 3.3v ± 5%
电的 特性
在 这 运行 范围
参数 描述 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
DD
电源 供应 电压 3.135 3.465 V
V
DDQ
i/o 供应 电压 3.135 3.465 V
V
OH
输出 高 电压 V
DD
= 最小值., i
OH
=
–
4.0 毫安
[9]
2.4 V
V
OL
输出 低 电压 V
DD
= 最小值., i
OL
= 8.0 毫安
[9]
0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
DD
+
0.3v
V
V
IL
输入 低 电压
[7]
−
0.3
0.8 V
I
X
输入 加载 电流 地
≤
V
I
≤
V
DDQ
−
5
5
µ
一个
输入 电流 的 模式
−
30
30
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏 电流 地
≤
V
I
≤
V
ddq,
输出 无能
−
5
5
µ
一个
I
CC
V
DD
运行 供应 V
DD
= 最大值., i
输出
= 0 毫安,
f = f
最大值
= 1/t
CYC
5.0-ns 循环, 166 mhz 400 毫安
6.6-ns 循环, 150 mhz 375 毫安
7.0-ns 循环, 143 mhz 350 毫安
7.5-ns 循环, 133 mhz 300 毫安
10-ns 循环, 100 mhz 250 毫安
12.5-ns 循环, 80 mhz 200 毫安
I
SB1
自动 ce
电源-向下
电流
—
ttl 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
在
≥
V
IH
或者 v
在
≤
V
IL
f = f
最大值
= 1/t
CYC
5.0-ns 循环, 166 mhz 90 毫安
6.6-ns 循环, 150 mhz 80 毫安
7.0-ns 循环, 143 mhz 70 毫安
7.5-ns 循环, 133 mhz 60 毫安
10-ns 循环, 100 mhz 50 毫安
12.5-ns 循环, 80 mhz 40 毫安
I
SB2
自动 ce 电源-
向下 电流
—
CMOS
输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected, v
在
≤
0.3v 或者 v
在
> v
DDQ
–
0.3v,
f = 0
所有 速 grades 5 毫安
I
SB3
自动 ce 电源-
向下 电流
—
CMOS
输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected, 或者
V
在
≤
0.3v 或者 v
在
> v
DDQ
–
0.3v
f = f
最大值
= 1/t
CYC
5.0-ns 循环, 166 mhz 80 毫安
6.6-ns 循环, 150 mhz 70 毫安
7.0-ns 循环, 143 mhz 60 毫安
7.5-ns 循环, 133 mhz 50 毫安
10-ns 循环, 100 mhz 40 毫安
12.5-ns 循环, 80 mhz 30 毫安
shaded areas 包含 进步 信息.
注释:
7. 最小 电压 相等
–
2.0v 为 脉冲波 持续时间 较少 比 20 ns.
8. T
一个
是 这 情况 温度.
9. 这 加载 使用 为 v
OH
和 v
CL
测试 是 显示 在 部分 (b) 的 一个/c 测试 负载 和 波形.

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CY7C1352B 初步的 6 最大比率 (在之上这个这有用的生命将是 impaired. 为用户手册- 线条, 不测试.) 存储温度 ..................................... − 65 ° c 至 +150 ° C 包围的温度和电源应用 .................................................. − 55 ° c 至 +125 ° C 供应电压在 v DD 相关的至地 .........− 0.5v 至 +4.6v 直流电压应用至输出在高 z 状态 [7] .....................................− 0.5v 至 v DDQ + 0.5v 直流输入电压 [7] ..................................− 0.5v 至 v DDQ + 0.5v 电流在输出 (低)......................................... 20 毫安静态的释放电压 .......................................... >2001v (每 mil-标准-883, 方法 3015) 获得-向上电流.................................................... >200 毫安运行范围范围包围的温度 [8] V DD /v DDQ Com ’ l 0 ° c 至 +70 ° C 3.3v ± 5% 电的特性在这运行范围参数描述测试情况最小值最大值单位 V DD 电源供应电压 3.135 3.465 V V DDQ i/o 供应电压 3.135 3.465 V V OH 输出高电压 V DD = 最小值., i OH = – 4.0 毫安 [9] 2.4 V V OL 输出低电压 V DD = 最小值., i OL = 8.0 毫安 [9] 0.4 V V IH 输入高电压 2.0 V DD + 0.3v V V IL 输入低电压 [7] − 0.3 0.8 V I X 输入加载电流地 ≤ V I ≤ V DDQ − 5 5 µ 一个输入电流的模式 − 30 30 µ 一个 I OZ 输出泄漏电流地 ≤ V I ≤ V ddq, 输出无能 − 5 5 µ 一个 I CC V DD 运行供应 V DD = 最大值., i 输出 = 0 毫安, f = f 最大值 = 1/t CYC 5.0-ns 循环, 166 mhz 400 毫安 6.6-ns 循环, 150 mhz 375 毫安 7.0-ns 循环, 143 mhz 350 毫安 7.5-ns 循环, 133 mhz 300 毫安 10-ns 循环, 100 mhz 250 毫安 12.5-ns 循环, 80 mhz 200 毫安 I SB1 自动 ce 电源-向下电流 — ttl 输入最大值 v DD , 设备 deselected, V 在 ≥ V IH 或者 v 在 ≤ V IL f = f 最大值 = 1/t CYC 5.0-ns 循环, 166 mhz 90 毫安 6.6-ns 循环, 150 mhz 80 毫安 7.0-ns 循环, 143 mhz 70 毫安 7.5-ns 循环, 133 mhz 60 毫安 10-ns 循环, 100 mhz 50 毫安 12.5-ns 循环, 80 mhz 40 毫安 I SB2 自动 ce 电源- 向下电流 — CMOS 输入最大值 v DD , 设备 deselected, v 在 ≤ 0.3v 或者 v 在 > v DDQ – 0.3v, f = 0 所有速 grades 5 毫安 I SB3 自动 ce 电源- 向下电流 — CMOS 输入最大值 v DD , 设备 deselected, 或者 V 在 ≤ 0.3v 或者 v 在 > v DDQ – 0.3v f = f 最大值 = 1/t CYC 5.0-ns 循环, 166 mhz 80 毫安 6.6-ns 循环, 150 mhz 70 毫安 7.0-ns 循环, 143 mhz 60 毫安 7.5-ns 循环, 133 mhz 50 毫安 10-ns 循环, 100 mhz 40 毫安 12.5-ns 循环, 80 mhz 30 毫安 shaded areas 包含进步信息. 注释: 7. 最小电压相等 – 2.0v 为脉冲波持续时间较少比 20 ns. 8. T 一个是这情况温度. 9. 这加载使用为 v OH 和 v CL 测试是显示在部分 (b) 的一个/c 测试负载和波形.

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