hm62w16258bi 序列
12
低 v
CC
数据 保持 特性
(ta = –40 至 +85
°
c)
参数 标识 最小值 典型值
*
3
最大值 单位 测试 情况
*2
V
CC
为 数据 保持 V
DR
2.0 — — V Vin
≥
0V
(1)
CS
≥
V
CC
– 0.2 v 或者
(2)
LB
=
UB
≥
V
CC
– 0.2 v
CS
≤
0.2 v
数据 保持 电流 I
CCDR
*1
— 0.8 20
µ
AV
CC
= 3.0 v, vin
≥
0V
(1)
CS
≥
V
CC
– 0.2 v 或者
(2)
LB
=
UB
≥
V
CC
– 0.2 v
CS
≤
0.2 v
碎片 deselect 至 数据
保持 时间
t
CDR
0 — — ns 看 保持 波形
运作 恢复 时间 t
R
t
RC
*4
——ns
注释: 1. 10
µ
一个 最大值 在 ta = 0 至 +40
°
c.
2.
CS
控制 地址 缓存区,
我们
缓存区,
OE
缓存区,
LB
,
UB
缓存区 和 din 缓存区. 如果
CS
控制 数据
保持 模式, vin 水平 (地址,
我们
,
OE
,
LB
,
UB
, i/o) 能 是 在 这 高 阻抗 状态. 如果
LB
,
UB
控制 数据 保持 模式,
LB
,
UB
必须 是
LB
=
UB
≥
V
CC
– 0.2 v,
CS
必须 是
CS
≤
0.2
v. 这 其它 输入 水平 (地址,
我们
,
OE
, i/o) 能 是 在 这 高 阻抗 状态.
3. 典型 值 是 在 v
CC
= 3.0 v, ta = +25˚c 和 不 有保证的.
4. t
RC
= 读 循环 时间.