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文档 号码 83652
rev. 1.3, 19-apr-04
VISHAY
ild615/ ilq615
vishay 半导体
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小 和 最大 值 是 测试 (所需的)东西. 典型 values 是 特性 的 这设备 和 是 这 结果 的 engineering
evaluation. 典型 值 是 为 信息 仅有的 和 是 不 部分 的 这 测试 (所需的)东西.
输入
输出
Coupler
电流 转移 比率
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= 10 毫安 V
F
1.0 1.15 1.3 V
损坏 电压 I
R
= 10
µ
AV
BR
6.0 30 V
反转 电流 V
R
= 6.0 v I
R
0.01 10
µ
一个
电容 V
R
= 0 v, f = 1.0 mhz C
O
25 pF
热的 阻抗, 接合面 至
含铅的
R
THJL
750 k/w
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
集电级-发射级 电容 V
CE
= 5.0 v, f = 1.0 mhz C
CE
6.8 pF
集电级-发射级 泄漏
电流, -1, -2
V
CE
= 10 v I
CEO
2.0 50 nA
集电级-发射级 泄漏
电流, -3, -4
V
CE
= 10 v I
CEO
5.0 100 nA
集电级-发射级 损坏
电压
I
CE
= 0.5 毫安 BV
CEO
70 V
发射级-集电级 损坏
电压
I
E
= 0.1 毫安 BV
ECO
7.0 V
热的 阻抗, 接合面 至
含铅的
R
THJL
500 k/w
包装 转移 特性
频道/频道 ctr 相一致 I
F
= 10 毫安, v
CE
= 5.0 v ctrx/
CTRY
1 至 1 2 至 1
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
电容 (输入-输出) V
IO
= 0 v, f = 1.0 mhz C
IO
0.8 pF
绝缘 阻抗 V
IO
= 500 v, t
一个
= 25 °C R
S
10
12
10
14
Ω
频道 至 频道 分开 500 VAC
参数 测试 情况 部分 标识 最小值 典型值 最大值 单位
电流 转移 比率
(集电级-发射级 saturated)
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4 v ild615-1
ilq615-1
CTR
CEsat
25 %
ild615-2
ilq615-2
CTR
CEsat
40 %
ild615-3
ilq615-3
CTR
CEsat
60 %
ild615-4
ilq615-4
CTR
CEsat
100 %
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