IS42S16400B
ISSI
®
14
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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rev. D
02/10/05
交流 测试 情况
(输入/输出 涉及 水平的: 1.5v)
i/o
50
Ω
+1.5v
50 pf
输入 加载
输出 加载
2.8v
1.5v
0.2v
CLK
输入
输出
t
CHI
t
CH
t
交流
t
OH
t
CS
t
CK
t
CL
2.8v
1.5v
1.5v 1.5v
0.2v
运行 频率 / latency relationships
标识 参数 -6 -7 单位
— 时钟 循环 时间 6 7 ns
— 运行 频率 166 143 MHz
t
CCD
读/写 command 至 读/写 command 1 1 循环
t
CKED
cke 至 时钟 使不能运转 或者 电源-向下 entry 模式 1 1 循环
t
PED
cke 至 时钟 使能 或者 电源-向下 exit 建制 模式 1 1 循环
t
DQD
dqm 至 输入 数据 延迟 0 0 循环
t
DQM
dqm 至 数据 掩饰 在 写 0 0 循环
t
DQZ
dqm 至 数据 高-阻抗 在 读 2 2 循环
t
DWD
写 command 至 输入 数据 延迟 0 0 循环
t
DAL
数据-在 至 起作用的 command 5 5 循环
t
DPL
数据-在 至 precharge command 2 2 循环
t
BDL
last 数据-在 至 burst 停止 command 1 1 循环
t
CDL
last 数据-在 至 新 读/写 command 1 1 循环
t
RDL
last 数据-在 至 precharge command 2 2 循环
t
MRD
加载 模式 寄存器 command 2 2 循环
至 起作用的 或者 refresh command
t
ROH
数据-输出 至 高-阻抗 从 cl = 3 3 3 循环
precharge command cl = 2 2 2 循环