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场效应晶体管 m2 或者 oring 二极管 d2 将 是 组织 这 全部
加载 电流. 电源 丧失 交流ross 这 oring 设备 是:
这个 显示 那 worst-情况失败 scenario 有 至 是
accounted 为 当 choosing 这 oring 场效应晶体管. 在 这个
情况 我们 需要 至 使用 二 mosfets 在 并行的 每 喂养 至
减少 整体的 电源 消耗 和 阻止 过度的
温度 上升 的 任何 单独的 场效应晶体管. 另一 alternative
将 是 至 choose 一个 场效应晶体管 和 更小的 r
ds(在
).
这 最终 选择 的 这 n-频道 oring 场效应晶体管 取决于
在 这 下列的 aspects:
1. 电压 比率: 这 流-源 损坏 电压
V
DSS
有 至 是 高等级的 比 这 最大 输入 电压
包含 过往旅客 和 尖刺. 也 这 门 至 源
电压 比率 有 至 是 考虑, 这 isl6144
最大 门 承担 电压 是 12v, 制造 确信 这
使用 场效应晶体管 有 一个 最大 v
GS
比率 >12v.
2. 电源 losses: 在 这个 application 这 oring 场效应晶体管 是
使用 作 一个 序列 通过 元素, 这个 是 正常情况下 全部地
增强 在 高 加载 电流, 切换 losses 是
negligible. 这 主要的 losses 是 传导 losses, 这个
取决于 在 这 值 的 这 在-状态 阻抗 的 这
场效应晶体管 r
ds(在)
, 和 这 每 喂养 加载 电流. 为 一个
n+1 redundant 系统 和 perfect 电流 分享, 这
每 喂养 场效应晶体管 losses 是:
这 r
ds(在)
值
也 取决于 在 接合面 温度;
一个 曲线 表明 这个 relationship 是 通常地 部分 的 任何
场效应晶体管’s 数据 薄板. 这 在crease 在 这 值 的 这
r
ds(在)
在 温度 有 至 是 带去 在 账户.
3. 电流 处理 能力, 稳步的 状态 和 顶峰, 是
也 二 重要的 参数s 那 必须 是 考虑.
这 限制 在 这 最大 容许的 流 电流
comes 从 限制 在 这 最大 容许的 设备
接合面 温度. 这 thermal 板 设计 有 至 是
能 至 dissipate 这 结果 热温 没有 exceeding 这
场效应晶体管’s 容许的 接合面 温度.
另一 重要的 consideration 当 choosing 这 oring
场效应晶体管 是 这 向前 电压 漏出 横过 它, 如果 这个 漏出
approaches 这 0.41v 限制, which 是 使用 在 这 vout 故障
monitoring mechanism 然后 这个将 结果 在 一个 永久的
故障 indication. 正常情况下 这 电压 漏出 将 是 选择
不 至 超过 一个 值 周围 100mv.
“isl6144+oring fet” vs“oring diode” 解决方案
“isl6144+oring fet“ 解决方案 是 更多 效率高的, 这个 将
结果 在 simplified pcb 和 热的 设计. 它 将 也
eliminate 这 需要 为 一个 热温 下沉 为 这 oring 二极管. 这个
将 结果 在 费用 savings. 在 增加 是 这 事实 那 这
isl6144 解决方案 提供 一个 更多 有伸缩性的, 可依靠的 和
controllable oring functionality 和 protecting 相反
系统 故障 scenarios (谈及 至 故障 发现 块
描述).
在 这 其它 hand 这 大多数 一般 failures 造成 用
二极管 oring 包含 打开 电路 和 短的 电路 failures. 如果
一个 的 这些 二极管 (喂养 一个) 有 failed 打开, 然后 这 其它
喂养 b 将 提供 所有 的 这 power 要求. 这 系统 将
continue 至 运作 without 任何 通告 的 这个 失败
减少 这 系统 至一个 单独的 要点 的 失败. 一个 更 更多
有危险的 失败 是 在哪里 这 二极管 有 failed 短的. 这
系统 将 continue 至 operate 没有 notification 那 这
短的 有 occurred. 和 这个 失败 过往旅客 和 failures
在 喂养 b propagate 至 喂养 一个. 也 这个 silent 短的 失败
可以 pose 一个 重大的 安全 hazard 为 技术的
personnel servicing 这些 feeds.
“isl6144 + oring fet” vs “discrete oring fet”
解决方案
如果 我们 对比 这 是l6144 整体的 解决方案 至 分离的
oring 场效应晶体管 解决方案, 这 isl6144 wins 在 所有 aspects,
这 主要的 ones 正在 pcb real estate 节省, 费用 savings,
和 减少 在 这 mtbf 的 这个部分 的 这 电路 作 这
整体的 号码 的 组件 是 减少.
在 brief 这 解决方案 offered 用 这个 ic enhances 电源
系统 效能 和 protection 当 不 adding 任何
considerable 费用, 在 这 contrary 节省 pcb 板 real
estate 和 供应 简单的 至 执行 整体的
解决方案.
设置 这 外部 hs 比较器 门槛
电压
在 一般, paralleled modules 在 一个 redundant 电源 系统
有 一些 表格 的 起作用的 电流 分享, 至 realize 这 全部
益处 的 这个 scheme 包含 更小的 运行
温度, 更小的 系统 failure 比率, 作 好 作 更好的
瞬时 回馈 当 加载 步伐 是 shared. 电流
分享 是 认识到 使用 不同的 技巧; 所有 的 这些
技巧 将 含铅的 至 类似的 modules 运行 下面
类似的 情况 在 条款 的 切换 频率, 职责
循环, 输出 电压 和 current. 当 paralleled modules
是 电流 分享, 它们的 单独的 输出 波纹 将 是
类似的 在 振幅 和 频率 和 这 一般 总线 将
有 这 一样 波纹 作 这些 单独的 modules 和 将
不 导致 任何 的 这 转变 止 mechanisms 至 是 使活动 作
这 一样 波纹 将 是 呈现在 两个都 感觉到 nodes (vin
和 vout). 这个 将 准许 设置 这 高 速
比较器 门槛 (v
th(hs)
) 至 一个 非常 低 值. 作 一个
开始 要点 一个 v
th(hs)
的 50mv 可以 是 使用, 这 最终
值 的 这个 th 将 是 系统 dependant 和 有 至 是
finalized 在 这 系统 prototype 平台. 如果 这 门
experiences false 转变-止预定的 至 系统 噪音, 这 v
th(hs)
有 至 是 增加.
P
丧失 D
2
()
I
输出
V
F
⋅
40一个 0.5V
⋅
20W
===
P
丧失
M2
()
I
输出
()
2
R
dson
⋅
40一个
()
2
5m
Ω⋅
8W
===
(eq. 5)
P
丧失 场效应晶体管
()
I
加载
N1
+
-----------------
2
r
DS 在
()
⋅
=
(eq. 6)
ISL6144
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