18
fn9049.7
12月 28, 2004
DDR
ISL6225
地
3
5
9
25
2
13
10
20
8
11
VIN
22
CR1
4
19
17
6
VSEN1
UGATE1
PHASE1
1/2 fds6912a
PGND1
LGATE1
ISEN1
BAT54
BOOT1
2/2 fds6912a
VOUT1
EN1
OCSET1
+5V
1
18
100K
12
PG1
7
27
24
23
14
L1
16
pg2/ref
21
SOFT1
26
Q1
C8
+
10nF
C3
R7
330
µ
F17.8k
R3
Q2
2.49k
R1
10K
R5
C6
0.15
µ
F
VCC
CR2
VSEN2
UGATE2
PHASE2
1/2 fds6912a
PGND2
LGATE2
ISEN2
BOOT2
2/2 fds6912a
VOUT2
EN2
OCSET2
L2
SOFT2
Q3
C9
+
330
µ
F
10K
R4
Q4
1.00k
R2
C7
0.15
µ
F
28
15
使能
电源 好的 ch1
VREF
WT1
BAT54
WT1
VCC
100K
R9
VPULLUP
10K
R6
C1
C11
+
10
µ
F
+2.50v
3.0a
+1.25v
~ 6.0a
3.0a
VDDQ
VTT
C4
1.0
µ
F
10nF
C5
15nF
C12
+
C2
+
10
µ
F
C10
10
µ
F
图示 15. 应用 电路 为 完全 ddr记忆 电源 解决方案 和 二-步伐 转换
1.5
µ
H
4.7
µ
F
4.6
µ
H
ISL6225