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fn9203.1
六月 17, 2005
包含 这 场效应晶体管 内部的 门 阻抗, 门 承担,
门槛 电压, 偏离 电感, 拉-向上 和 拉-向下
阻抗 的 这 门 驱动器. 这 下列的 切换 丧失
计算 提供 一个 粗糙的 估计.
在哪里 q
gd
: 流-至-门 承担, q
rr
: 总的 反转 恢复
承担 的 这 身体-二极管 在 低 一侧 场效应晶体管, i
LV
: inductor
valley 电流, i
lp:
inductor 顶峰 电流, i
g,下沉
和
I
g
,
源
是 这 顶峰 门-驱动 所以urce/下沉 电流 的 q1,
各自.
至 达到 低 切换 losses,它 需要 低 流-至-门
承担 q
gd
. 一般地, 这 更小的 这 流-至-门 承担,
这 高等级的 这 在-阻抗. therefore, 那里 是 一个 trade-止
在 这 在-阻抗 和 流-至-门 承担. 好的
场效应晶体管 选择 是 为基础 在 这 图示 的 merit (fom),
这个 是 一个 产品 的 这 总的 门 承担 和 在-
阻抗. 通常地, 这 小 这 值 的 fom, 这 高等级的
这 效率 为 这 一样 应用.
为 这 低-一侧 场效应晶体管, 这 worst-情况 电源 消耗
occurs 在 最小 电池 电压 和 最大 输入
电压:
choose 一个 低-一侧 场效应晶体管 那 有 这 最低 可能
在-阻抗 和 一个 moderate-sized 包装 像 这 所以-8
和 是 合理地 priced. 这 切换 losses 是 不 一个
公布 为 这 低 一侧 场效应晶体管 因为 它 运作 在 零-
电压-切换.
choose 一个 肖特基 二极管 在 并行的 和 低-一侧 场效应晶体管
q2 和 一个 向前 电压 漏出 低 足够的 至 阻止 这
低-一侧 场效应晶体管 q2 身体-二极管 从 turning 在 在 这
dead 时间. 这个 也 减少 这 电源 丧失 在 这 高-一侧
场效应晶体管 有关联的 和 这 反转 恢复 的 这 低-
一侧 场效应晶体管 q2 身体 二极管.
作 一个 一般 rule, 选择 一个 二极管 和 直流 电流 比率 equal
至 一个-第三 的 这 加载 电流. 一个 选项 是 至 choose 一个
联合的 场效应晶体管 和 这 肖特基 二极管 在 一个 单独的
包装. 这 整体的 packages 将 工作 更好的 在
实践 因为 那里 是 较少 偏离 电感 预定的 至 一个
短的 连接. 这个 肖特基 二极管 是 optional 和 将 是
移除 如果 效率 丧失 能 是 tolerated. 在 增加,
确保 那 这 必需的 总的门 驱动 电流 为 这
选择 mosfets 应当 是 较少 比 24ma. 所以, 这 总的
门 承担 为 这 高-一侧 和 低-一侧 mosfets 是
限制 用 这 下列的 等式:
在哪里 i
门
是 这 总的 门 驱动 电流 和 应当 是
较少 比 24ma. substituting i
门
=24ma 和 f
s
=300kHz
在 这 previous 等式 产量 那 这 总的 门 承担
应当 是 较少 比 80nc. 因此, 这 isl6255,
isl6255a 容易地 驱动 这 battery 承担 电流 向上 至 8a.
输入 电容 选择
这 输入 电容 absorbs 这 波纹 电流 从 这
同步的 buck 转换器, 这个 是 给 用:
这个 rms 波纹 电流 必须 是 小 比 这 评估 rms
电流 在 这 电容 datasheet. 非-tantalum chemistries
(陶瓷的, 铝, 或者 oscon)是 preferred 预定的 至 它们的
阻抗 至 电源-向上 surge 电流 当 这 交流 adapter
是 plugged 在 这 电池 charger. 为 notebook 电池
charger 产品, 它 是 推荐 那 陶瓷的
电容 或者 polymer 电容 从 sanyo 是 使用 预定的 至
它们的 小 大小 和 合理的 费用.
表格 2 显示 这 组件 lists 为 这 典型 应用
电路 在 图示 15.
s inrr
ksin,g
gd
sLPIN
源,g
gd
slvinswitching,1q
fVQ
I
Q
f iv
2
1
I
Q
f iv
2
1
P
++=
DSON
2
BAT
在
输出
2Q
RI
V
V
1P
−=
s
门
门
f
I
Q
≤
表格 2. 组件 列表
部分 部分 号码 和 生产者
c1, c10 10
µ
f/25v 陶瓷的 电容, taiyo yuden
tmk325 mj106my x5r (3.2x2.5x1.9mm)
c2, c4, c8 0.1
µ
f/50v 陶瓷的 电容
c3, c7, c9 1
µ
f/10v 陶瓷的 电容, taiyo yuden
LMK212BJ105MG
C5 10nf 陶瓷的 电容
C6 6.8nf 陶瓷的 电容
C11 3300pf 陶瓷的 电容
D1 30v/3a 肖特基 二极管, ec31qs03l (optional)
D2 100ma/30v 肖特基 二极管, central 半导体
L10
µ
h/3.8a/26m
Ω
, sumida, cdrh104r-100
q1, q2 30v/35m
Ω
, fds6912a, 仙童
q3, q4 -30v/30m
Ω
, si4835bdy, siliconix
Q5 信号 p-频道 场效应晶体管, nds352ap
Q6 信号 n-频道 场效应晶体管, 2n7002
R1 40m
Ω
, ±1%, lrc-lr2512-01-r040-f, irc
R2 20m
Ω
, ±1%, lrc-lr2010-01-r020-f, irc
R3 18
Ω
,
±
5%, (0805)
R4 2.2
Ω
,
±
5%, (0805)
R5 100k
Ω
,
±
5%, (0805)
R6 10k,
±
5%, (0805)
R7 100
Ω
,
±
5%, (0805)
r8, r11 130k,
±
1%, (0805)
()
在
OUTINOUT
BATrms
V
VVV
II
−
=
isl6255, isl6255a
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