6
fn9091.5
january 4, 2005
这个 驱动器 是 优化 为 voltage regulators 和 大 步伐
向下 比率. 这 更小的 场效应晶体管 是 通常地 sized 更 大
对照的 至 这 upper mosfet 因为 这 更小的
场效应晶体管 conducts 为 一个 更 变长 时间 在 一个 切换
时期. 这 更小的 门 驱动器 是 因此 sized 更 大
至 满足 这个 application 必要条件. 这 0.4
Ω
在-阻抗
和 4a 下沉 电流 能力 使能 这 更小的 门 驱动器 至
absorb 这 电流 injected 至 这 更小的 门 通过 这
流-至-门 电容 的 这 更小的 场效应晶体管 和 阻止 一个
shoot 通过 造成 用 这 高 dv/dt 的 这 阶段 node.
三-状态 pwm 输入
一个 唯一的 特性 的 这 isl6605和 其它 intersil 驱动器 是
这 增加 的 一个 关闭 window 至 这 pwm 输入. 如果 这
pwm 信号 enters 和 仍然是 在里面 这 关闭 window
为 一个 设置 holdoff 时间, 这 输出 驱动器 是 无能 和
两个都 场效应晶体管 门 是 牵引的和 使保持 低. 这 关闭
状态 是 移除 当 这 pwm 信号 moves 外部 这
关闭 window. 否则, 这 pwm rising 和 下落
门槛 概述 在 the 电的 规格
决定 当 这 更小的 和 upper 门 是 使能.
adaptive shoot-通过 保护
两个都 驱动器 包含 adaptive shoot-通过 保护
至 阻止 upper 和 更小的 mosfets 从 组织
同时发生地 和 shorting 这 输入 供应. 这个 是
accomplished 用 ensuring 这 下落 门 有 转变 止 一个
场效应晶体管 在之前 这 其它 是 允许 至 上升.
在 转变-止 的 这 更小的 场效应晶体管, 这 lgate 电压 是
监控 直到 它 reaches 一个 1v 门槛, 在 这个 时间 这
ugate 是 released 至 上升. adaptive shoot-通过 电路系统
monitors 这 upper 场效应晶体管 门 电压 在 ugate
转变-止. once 这 upper 场效应晶体管 门-至-源 电压
有 dropped 在下 一个 门槛 的 1v, 这 lgate 是 允许
至 上升.
内部的 自举 二极管
这个 驱动器 特性 一个 内部的 自举 肖特基 二极管.
simply adding 一个 外部 电容 横过 这 激励 和
阶段 管脚 完成 这 bootstrap 电路.这 自举
电容 能 是 选择 从 这 下列的 等式:
在哪里 q
门
是 这 数量 的 门承担 必需的 至 全部地
承担 这 门 的 这 upper 场效应晶体管. 这
∆
V
激励
期 是
定义 作 这 容许的 droop 在 这 栏杆 的 这 upper 驱动.
这 在之上 relationship 是 illustrated 在 图示 1.
作 一个 例子, 假定 一个 upper 场效应晶体管 有 一个 门
承担, q
门
, 的 65nc 在 5v 和 也 假设 这 droop 在
这 驱动 电压 在 一个 pwm 循环 是 200mv. 一个 将 find
那 一个 自举 capacitance 的 在 least 0.125
µ
f 是 必需的.
这 next 大 标准值 电容 是 0.15
µ
f. 一个
好的 质量 陶瓷的 电容 是 推荐.
电源 消耗
包装 电源 消耗 是 mainly 一个 函数 的 这
切换 频率 和 总的 门 承担 的 这 选择
mosfets. calculating 这 电源 消耗 在 这 驱动器 为
一个 desired 应用 是 核心的 至 ensuring safe 运作.
exceeding 这 最大 容许的 电源 消耗 水平的
将 推 这 ic 在之外 这 最大 推荐
运行 接合面 温度 的 125°c. 这 最大
容许的 ic 电源 消耗 为 这 所以-8 包装 是
大概 800mw. 当 designing 这 驱动器 在 一个
应用, 它 是 推荐 那 这 下列的 计算
是 执行 至 确保 safe 运作 在 这 desired
频率 为 这 选择 mosfets. 这 电源 dissipated
用 这 驱动器 是 近似 作 在下 和 plotted 作 在
图示 2.
在哪里 f
sw
是 这 切换 频率 的 这 pwm 信号. v
U
和 v
L
代表 这 upper 和 更小的 门 栏杆 电压. q
U
和 q
L
是 这 upper 和 更小的 门 承担 决定 用
场效应晶体管 选择 和 任何 外部 电容 增加 至
这 门 管脚. 这 i
DDQ
V
CC
产品 是 这 安静的 电源
的 这 驱动器 和 是 典型地 negligible.
C
激励
Q
门
∆
V
激励
------------------------
≥
∆
V
激励
(v)
C
激励
(uf)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.
0
Q
门
= 100 nc
50nC
20nC
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
50nC
20nC
Q
门
=100nC
图示 1. 自举 电容 vs. 激励 波纹
VOLTAGE
Pf
sw
1.5V
U
Q
U
V
L
Q
L
+
()
I
DDQ
V
CC
+=
ISL6605
: 点此下载
