绝对 最大 比率
(便条 3)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
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分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+0.3v
电源 消耗 (便条 4) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 5) 2000V
静电释放 Susceptibility (便条 6) 200V
接合面 温度 150˚C
焊盘 信息
小 外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒.) 215˚C
Infrared (15 秒.) 220˚C
热的 阻抗
θ
JC
(典型值) — SQA24B 3˚c/w
θ
JA
(典型值) — SQA24B 42˚c/w
运行 比率
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.7v
≤
V
DD
≤
5.5v
电的 特性 (5v)
(注释 3, 7, 13)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5V 除非 否则 指出. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况 LM4888 单位
(限制)
典型 限制
(便条 8) (便条 9)
V
DD
供应 电压 2.7 V (最小值)
5.5 V (最大值)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, I
O
= 0A (便条 10) , BTL 模式 6 10 毫安 (最大值)
V
在
= 0v, I
O
= 0A (便条 10) , SE 模式 3.0 6 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 地 应用 至 这 关闭 管脚 0.04 2 µA (最大值)
V
IH
Headphone Sense 高 输入
电压
3.7 4 V (最小值)
V
IL
Headphone Sense 低 输入
电压
2.6 0.8 V (最大值)
V
IHSD
关闭, Headphone 微观的,
3D 控制
高 输入 电压
1.2 1.4 V (最小值)
V
ILSD
关闭, Headphone 微观的,
3D 控制
低 输入 电压
1 0.4 V (最大值)
T
WU
转变 在 时间 1µF 绕过 Cap (c6) 140 ms
电的 特性 为 bridged-模式 运作 (5v)
(注释 3, 7, 13)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5V 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况 LM4888 单位
(限制)
典型 限制
(便条 8) (便条 9)
V
OS
输出 补偿 电压 V
在
= 0V 5 25 mV (最大值)
P
O
输出 电源 (便条 11)
THD+N = 1%, f = 1kHz (便条 12)
lm4888sq, R
L
=3
Ω
2.4 W
lm4888sq, R
L
=4
Ω
2.1 W
lm4888sq, R
L
=8
Ω
1.3 1.0 W (最小值)
THD+N = 10%, f = 1kHz (便条 12)
lm4888sq, R
L
=3
Ω
3.0 W
lm4888sq, R
L
=4
Ω
2.5 W
lm4888sq, R
L
=8
Ω
1.7 W
LM4888
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