4
LT1505
便条 6:
看 “lithium-ion charging completion” 在 这 产品
信息 部分.
便条 7:
测试 和 测试 电路 3.
便条 8:
I
SPIN
keeps 切换 在 至 保持 v
BAT
管制 当 电池 是
不 呈现 至 避免 高 surge 电流 从 c
输出
当 电池 是
inserted.
便条 9:
在之上 欠压 门槛 切换 是 使能.
便条 10:
做 不 连接 v
CC
直接地 至 v
在
(看 图示 1). 这个 连接
将 导致 这 内部的 二极管 在 v
BAT
和 v
CC
至 是 向前-片面的
和 将 导致 高 电流 至 流动 从 v
在
. 当 这 adapter 是
移除, v
CC
将 是 使保持 向上 用 这 身体 二极管 的 m1.
便条 1:
绝对 最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 这 生命
的 一个 设备 将 是 impaired.
便条 2:
测试 和 测试 电路 1.
便条 3:
测试 和 测试 电路 2.
便条 4:
当 v
CC
和 电池 电压 差别的 是 低, 高 职责 因素
是 必需的. 这 lt1505 achieves 一个 职责 因素 更好 比 99% 用
skipping 循环. 仅有的 当 v
BOOST
drops 在下 这 比较器 a2
门槛 将 tgate 是 转变 止. 看 产品 信息.
便条 5:
当 这 系统 开始, c2 (boost cap) 有 至 是 charged 向上 至
驱动 tgate 和 至 开始 这 系统. 这 lt1505 将 保持 tgate 止 和
转变 bgate 在 为 0.2
µ
s 在 200khz 至 承担 向上 c2. 比较器 a2
senses v
BOOST
和 switches 至 这 正常的 pwm 模式 当 v
BOOST
是
在之上 这 门槛.
电的 特性
这
●
denotes 规格 这个 应用 在 这 全部 运行
温度 范围, 否则 规格 是 在 t
一个
= 25
°
c. v
CC
= 18v, v
BAT
= 12.6v, v
CLN
= v
CC
(lt1505), 非 加载 在 任何
输出 除非 否则 指出.
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电压 放大器 va
跨导 (便条 3) 输出 电流 从 50
µ
一个 至 500
µ
一个 0.21 0.6 1.0 mho
输出 源 电流 V
FB
= v
PROG
= v
REF
+ 10mv 1.1 毫安
V
FB
输入 偏差 电流 在 0.5ma va 输出 电流, t
一个
= 25
°
C
±
3
±
10 nA
在 0.5ma va 输出 电流, t
一个
= 70
°
C – 10 25 nA
(3 cell, 4.1v, 4.2v 是 不 connected, v
BAT2
= 0v)
电流 限制 放大器 cl1
转变-在 门槛 0.5ma 输出 电流 87 92 97 mV
跨导 输出 电流 从 50
µ
一个 至 500
µ
一个 0.5 1 3 mho
clp 输入 电流 0.5ma 输出 电流 1 3
µ
一个
cln 输入 电流 0.5ma 输出 电流 0.8 2 毫安
输入 p-频道 场效应晶体管 驱动器 (infet)
infet “on” 夹紧 电压 (v
CC
– v
INFET
)v
CC
≥
11V
●
6.5 7.8 9 V
infet “on” 驱动器 电流 V
INFET
= v
CC
– 6v
●
820 毫安
infet “off” 夹紧 电压 (v
CC
– v
INFET
)v
CC
不 连接, i
INFET
< –2
µ
一个 1.4 V
infet “off” 驱动 电流 V
CC
不 连接, (v
CC
– v
INFET
)
≥
2V –2.5 毫安
charging completion 标记 (比较器 e6)
charging completion 门槛 (便条 6) 量过的 在 v
RS1
, v
CAP
= 2v (便条 7) 14 20 28 mV
门槛 在 cap 管脚 低 至 高 门槛
●
3.3 4.2 V
高 至 低 门槛
●
0.6 V
V
CAP
在 关闭 V
SHDN
= 低 (关闭)
●
0.13 0.3 V
标记 (打开 集电级) 输出 低 V
CAP
= 4v, i
标记
< 1ma
●
0.3 V
标记 管脚 泄漏 电流 V
CAP
= 0.6v
●
3
µ
一个
门 驱动器 (tgate, bgate)
V
GBIAS
11v < v
CC
< 24v, i
GBIAS
≤
15mA
●
8.4 8.9 9.3 V
V
SHDN
= 低 (关闭)
●
13 V
V
TGATE
高 (v
TGATE
– v
SW
)i
TGATE
≤
20ma, v
BOOST
= v
GBIAS
– 0.5v
●
5.6 6.6 V
V
BGATE
高 I
BGATE
≤
20mA
●
6.2 7.2 V
V
TGATE
低 (v
TGATE
– v
SW
)i
TGATE
≤
50mA
●
0.8 V
V
BGATE
低 I
BGATE
≤
50mA
●
0.8 V
顶峰 门 驱动 电流 10nf 加载 1 一个
门 驱动 上升 和 下降 时间 1nf 加载 25 ns
V
TGATE
, v
BGATE
在 关闭 V
SHDN
= 低 (关闭)
●
1V
I
TGATE
= i
BGATE
= 10
µ
一个
: 点此下载
