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LTC1149
ltc1149-3.3/ltc1149-5
applicatio s i 为 atio
WUU U
这 地面 一侧 的 这 输出 至 阻止 这 绝对
最大 电压 比率 的 这 sense 管脚 从 正在
超过. 这个 是 显示 在 图示 5. 当 这 电流
sense 比较器 是 运行 在 0v 一般 模式, 这
止-时间 增加 大概 40%, 需要 这 使用
的 一个 小 定时 电容 c
T
.
效率 仔细考虑
这 百分比 效率 的 一个 切换 调整器 是 equal 至
这 输出 电源 分隔 用 这 输入 电源 时间 100%.
它 是 常常 有用的 至 analyze 单独的 losses 至 决定
what 是 限制的 这 效率 和 这个 改变 将
生产 这 大多数 改进. 百分比 效率 能 是
表示 作:
%efficiency = 100 – (l1 + l2 + l3 + ...)
在哪里 l1, l2, 等., 是 这 单独的 losses 作 一个 百分比-
age 的 输入 电源. (为 高 效率 电路 仅有的 小
errors 是 incurred 用 expressing losses 作 一个 percentage
的 输出 电源.)
虽然 所有 dissipative elements 在 这 电路 生产
losses, 四 主要的 来源 通常地 账户 为 大多数 的 这
losses 在 ltc1149 序列 电路: 1) ltc1149 直流 供应
电流, 2) 场效应晶体管 门 承担 电流, 3) i
2
r losses 和
4) p-频道 转变 losses.
1. 这 直流 供应 电流 是 这 电流 这个 flows 在
V
在
管脚 2 较少 这 门 承担 电流. 为 v
在
= 12v 这
ltc1149 直流 供应 电流 是 0.6ma 为 非 加载, 和
增加 按比例地 和 加载 向上 至 2ma 之后 这
ltc1149 序列 有 entered 持续的 模式.
因为 这 直流 供应 电流 是 描绘 从 v
在
, 这
结果 丧失 增加 和 输入 电压. 为
V
在
= 24v, 这 直流 偏差 losses 是 一般地 较少 比 3%
为 加载 电流 在 300ma. 不管怎样, 在 非常 低
加载 电流 这 直流 偏差 电流 accounts 为 nearly 所有
的 这 丧失.
2. 场效应晶体管 门 承担 电流 结果 从 切换 这
门 电容 的 这 电源 mosfets. 各自 时间 一个
场效应晶体管 门 是 切换 从 低 至 高 至 低 又一次,
一个 小包装板盒 的 承担 dq moves 从 v
在
至 地面. 这
结果 dq/dt 是 一个 电流 输出 的 v
在
这个 是 典型地
更 大 比 这 直流 供应 电流. 在 持续的
模式, i
GATECHG
= f (q
N
+ q
P
). 这 典型 门 承担
为 一个 0.1
Ω
n-频道 电源 场效应晶体管 是 25nc, 和 为
一个 p-频道 关于 两次 那 值. 这个 结果 在
I
GATECHG
= 7.5ma 在 100khz 持续的 运作, 为
一个 5% 至 10% 典型 mid-电流 丧失 和 v
在
= 24v.
便条 那 这 门 承担 丧失 增加 直接地 和
两个都 输入 电压 和 运行 频率. 这个 是 这
principal reason why 这 最高的 效率 电路
运作 在 moderate 发生率. 此外, 它
argues 相反 使用 大 mosfets 比 需要
至 控制 i
2
r losses, 自从 overkill 能 费用 效率
作 好 作 money!
3. I
2
r losses 是 容易地 predicted 从 这 直流 抵制
的 这 场效应晶体管, inductor 和 电流 调往. 在 continu-
ous 模式 所有 的 这 输出 电流 flows 通过 l 和
R
SENSE
, 但是 是 “chopped” 在 这 p-频道 和
n-频道 mosfets. 如果 这 二 mosfets 有
大概 这 一样 r
ds(在)
, 然后 这 阻抗 的
一个 场效应晶体管 能 simply 是 summed 和 这 resis-
tances 的 l 和 r
SENSE
至 获得 i
2
r losses. 为
例子, 如果 各自 r
ds(在)
= 0.1
Ω
, r
L
= 0.15
Ω
和
R
SENSE
= 0.05
Ω
, 然后 这 总的 阻抗 是 0.3
Ω
. 这个
结果 在 losses ranging 从 3% 至 12% 作 这 输出
电流 增加 从 0.5a 至 2a. i
2
r losses 导致 这
效率 至 滚动-止 在 高 输出 电流.
4. 转变 losses 应用 仅有的 至 这 p-频道 场效应晶体管,
和 仅有的 当 运行 在 高 输入 电压 (typi-
cally 24v 或者 更好). 转变 losses 能 是 esti-
mated 从:
转变 丧失
≈
5(v
在
)
2
(i
最大值
)(c
RSS
)(f)
为 例子, 如果 v
在
= 48v, i
最大值
= 2a, c
RSS
= 300pf (一个 非常
大 场效应晶体管) 和 f = 100khz, 这 转变 丧失 是 0.7w.
一个 丧失 的 这个 巨大 将 不 仅有的 kill 效率 但是
将 probably 需要 额外的 热温 sinking 为 这
mosfet! 看 设计 例子 为 更远 指导原则 在
如何 至 选择 这 p-频道 场效应晶体管.
其它 losses 包含 c
在
和 c
输出
等效串联电阻 dissipative
losses, 肖特基 传导 losses 在 dead-时间, 和
inductor 核心 losses, 一般地 账户 为 较少 比 2%
总的 额外的 丧失.
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