MC12149
4
motorola rf/如果 设备 数据
图示 2. mc12149 典型 外部 组件 连接
8
7
6
5
1
2
3
4
VCO
1. 这个 输入 能 是 left 打开, 系 至 地面, 或者 系 和 一个 电阻 至 地面, 取决于
在 这 desired 输出 振幅 需要 在 这 q 和 qb 输出 一双.
2. 典型 值 为 r1 范围 从 5.0 k
Ω
至 10 k
Ω
.
Q2
Q
地
QB
V
CC
CNTL
TANK
V
REF
C2aC3a
便条 1
Cb
LT
CV
R1
V
在
C2aC3a
V
CC
供应
C7
C6a
C6b
L2b
L2a
至 预分频器
vco 输出
vco 输出
C1
一个 simplified 直线的 approximation 的 这 设备, 包装,
和 典型 板 parasitics 有 被 开发 至 aid 这
设计者 在 selecting 这 恰当的 tank 电路 值. 所有 这
parasitic contributions 有 被 lumped 在 一个 parasitic
电容的 组件 和 一个 parasitic inductive 组件.
当 这个 是 不 全部地 精确, 它 给 这 设计者 一个 固体的
开始 要点 为 selecting 这 tank 组件.
在下 是 这 参数 使用 在 这 模型.
cp parasitic 电容
Lp parasitic 电感
LT 电感 的 coil
C1 连接 电容 值
Cb 电容 为 解耦 这 偏差 管脚
CV varactor 二极管 电容 (能变的)
这 值 为 这些 组件 是 substituted 在 这
下列的 equations:
等式 2
Ci
+
C1
CV
C1
)
CV
)
Cp
等式 3
C
+
Ci
Cb
Ci
)
Cb
l = lp + lt
等式 4
从 图示 2, 它 能 是 seen 那 这 varactor
电容 (cv) 是 在 序列 和 这 连接 电容
(c1). 这个 是 计算 在 等式 2. 为 分析 目的,
这 parasitic capacitances (cp) 是 treated 作 一个 lumped
元素 和 放置 在 并行的 和 这 序列 结合体 的
c1 和 cv. 这个 复合 电容 (ci) 是 在 序列 和
这 偏差 电容 (cb) 这个 是 计算 在 等式 3. 这
influences 的 这 各种各样的 capacitances; c1, cp, 和 cb,
impact 这 设计 用 减少 这 能变的 电容
影响 的 这 varactor 这个 控制 这 tank resonant
频率 和 tuning 范围.
now 这 结果 计算 从 等式 2, 等式 3
和 等式 4 能 是 substituted 在等式 1 至
计算 这 真实的 频率 的 这 tank.
至 aid 在 分析, 它 是 推荐 那 这 设计者 使用
一个 简单的 spreadsheet 为基础 在等式 1 through
等式 4 至 计算 这 频率 的 运作 为 各种各样的
varactor/inductor selections 在之前 determining 这 最初的
开始 情况 为 这 tank.
这 二 主要的 组件 在 这 heart 的 这 tank 是 这
inductor (lt) 和 这 varactor 二极管 (cv). 这 电容 的
一个 varactor 二极管 接合面 改变 和 这 数量 的 反转
偏差 电压 应用 横过 这 二 terminals. 这个 是 这
元素 这个 的确 “tunes” 这 vco. 一个 典型的
的 这 varactor 是 这 tuning 比率 这个 是 这 比率 的 这
电容 在 指定 最小 和 最大 电压
点. 为 characterizing 这 mc12149, 一个 matsushita
(panasonic) varactor – ma393 是 选择. 这个 设备 有
一个 典型 电容 的 11 pf 在 1.0 v 和 3.7 pf 在 4.0 v 和
这 c–v 典型的 是 fairly 直线的 在 那 范围. 类似的
效能 是 也 acheived 和 loral varactors. 一个
multi–layer 碎片 inductor 是 使用 至 realize 这 lt
组件. 这些 inductors had 典型 q 值 在 这 35 至
50 范围 为 发生率 在 500 和 1000 mhz.
便条:
那里 是 许多 供应者 的 高 效能
varactors 和 inductors 和 motorola 能 不 推荐
一个 vendor 在 另一.
这 q (质量 因素) 的 这 组件 在 这 tank 电路
有 一个 直接 impact 在 这 结果 阶段 噪音 的 这
振荡器. 在 一般, 这 高等级的 这 q, 这 更小的 这 阶段
噪音 的 这 结果 振荡器. 在 增加 至 这 lt 和 cv
组件, 仅有的 高 质量 surface–mount rf 碎片
电容 应当 是 使用 在 这 tank 电路. 这些
电容 应当 有 非常 低 dielectric 丧失 (high–q). 在 一个
最小, 这 电容 选择 应当 是 运行
100 mhz 在下 它们的 序列 resonance 要点. 作 这 desired
频率 的 运作 增加, 这 值 的 这 c1 和
cb 电容 将 decrease 自从 这 序列 resonance 要点
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