mc145151–2 通过 mc145158–2
MOTOROLA
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结晶 振荡器 仔细考虑
这下列的 选项 将 是 考虑 至 提供 一个 ref-
erencefrequency to motorola’s cMOs frequency synthe-
sizers.
使用 的 一个 混合的 结晶 振荡器
商业上有 temperature–compensated结晶
oscillators(tcxos)或者 crystal–controlled 数据 时钟 oscilla-
tors提供 非常 稳固的 涉及 发生率. 一个 振荡器
有能力 的 sinking 和 sourcing 50
µ
一个 在 cmos 逻辑 水平
将是 直接或者 直流 结合 至 osc
在
. 在 一般, 这 最高的
频率capabilityis obtained utilizing 一个 direct–coupled
正方形的wave having 一个rail–to–rail (V
DD
to v
SS
) voltage
摆动.如果 这 振荡器 做 不 有 cmos 逻辑 水平 在
这输出, 电容的 或者 交流 连接至 osc
在
将 是 使用.
OSC
输出
, 一个 unbuffered 输出, 应当 是 left floating.
为额外的 信息 关于 tcxos 和 数据 时钟
oscillators,请 咨询 这 最新的 版本 的这
eem elec-
tronicengineers 主控 catalog,
这
金 书,
或者 类似的
publications.
设计 一个 off–chip 涉及
这用户 将 设计 一个 的f–chip 结晶 振荡器 使用
ICsspecifically 开发 为 结晶 振荡器 产品,
此类作这 mc12061 mecl 设备. 这 涉及 信号
从这 mecl 设备 是 交流 结合 至 osc
在
.为 大 am-
plitude信号 (标准 cmos 逻辑 水平), 直流 连接 是
使用. osc
输出
, 一个 unbuffered 输出, 应当 是 left floating.
在一般, 这 最高的 频率 能力 是 得到 和 一个
direct–coupledsquare wave having rail–to–rail voltage
摆动.
使用 的 这 on–chip 振荡器 电路系统
这on–chip 放大器 (一个 数字的 反相器) along 和 一个 ap-
propriate 结晶 将 是 使用 至 提供 一个 涉及 源
频率.一个 基本的 模式 结晶,并行的 resonant 在
这desired operatingfrequency, should be connected 一个s
显示 在 图示 10.
图示 10. pierce 结晶 振荡器 电路
R1*
C2C1
频率
SYNTHESIZER
OSC
输出
OSC
在
* 将是 deleted 在 确实 具体情况. 看 text.
R
f
为 v
DD
= 5.0 v, 这 结晶 应当 是 指定为 一个 加载-
ing电容,C
L
, 这个 做 不 超过 32 pf 为 fre-
quencies至 大概 8.0 mhz, 20 pf 为 发生率在
这 范围 的 8.0 至 15 mhz, 和 10 pf 为 高等级的 发生率.
这些 是 指导原则 那 提供 一个 合理的 compromise
在IC电容, 驱动 能力, swamping varia-
tions在 偏离 和 ic 输入/输出 电容, 和 realistic
C
L
values. the shunt load capacitance, c
L
,presented
横过 这 结晶 能 是 estimated 至 是:
C
L
=
C
在
C
输出
C
在
+ c
输出
+ c
一个
+ c
o
+
C1
•
C2
C1 + C2
在哪里
C
在
= 5 pf (看 图示 11)
C
输出
= 6 pf (看 图示 11)
C
一个
= 1 pf (看 图示 11)
C
O
= 这 结晶’s holder 电容
(看 图示 12)
c1 和 c2 = 外部 电容 (看 图示 10)
图示 11. parasitic capacitances 的 这 放大器
C
在
C
输出
C
一个
图示 12. 相等的 结晶 网络
便条: 值 是 有提供的 用 结晶 生产者
(并行的 resonant 结晶).
2
1
2
121
R
S
L
S
C
S
R
e
X
e
C
O
这振荡器 能 是“trimmed” on–frequency 用 制造 一个
portion或者 所有 的 c1 能变的. 这 结晶 和 有关联的 com-
ponents必须 是 located 作 关闭 作 可能 至 这 osc
在
和OSC
输出
管脚 至 降低 扭曲量, 偏离 电容,
偏离inductance, 一个nd startup stabilization time. in some
具体情况,偏离 电容 应当 是 增加 至 这 值 为 c
在
和 c
输出
.
电源是 dissipated 在 这 effective 序列 阻抗 的 这
结晶,R
e
, 在 图示 12. 这 驱动 水平的 指定 用 这 crys-
tal生产者 是 这 最大 压力 那 一个 结晶 能
承受没有 损坏 或者 过度的 变换 在 频率. r1
在图示 10 限制 这 驱动 水平的. 这 使用 的 r1 将 不 是
需要 在 一些 具体情况 (i.e., r1 = 0
Ω
).
至核实 那 这 最大 直流 供应 电压 做 不
overdrive这 结晶, 监控 这 输出 频率作 一个 func-
tion的 电压 在OSC
输出
. (小心 应当 是 带去 至 降低
加载.)这 频率 应当 增加 非常 slightly 作 这
直流 供应 电压 是 增加. 一个 过载 结晶 将 de-
crease在 频率 或者 变为unstable 和 一个 增加 在
供应voltage. the operating supply voltage m美国t bere-
duced 或者 r1必须是 增加 在 值 如果 这 过载
情况exists. the user should note that the oscillator
start–up 时间 是 均衡的 至 这 值 的 r1.
通过theprocess of supplying crystals for use with
CMOs inverters, m一个y crystalmanufacturers have devel-
oped专门技能 在 cmos 振荡器 设计和 crystals. dis-
cussionsw它h such manufacturers c一个prove very helpful
(看 表格 1).
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