mc68hc705kj1 • mc68hrc705kj1 • mc68hlc705kj1 数据 薄板, rev. 4.1
freescale 半导体 21
chapter 2
记忆
2.1 介绍
这个 部分 提供:
• 记忆 编排 (图示 2-1)
• summary 的 这 输入/输出 寄存器 (图示 2-2)
• 描述 的:
– 随机的-进入 记忆 (内存)
– 非易失存储器/otprom (用电气 可编程序的 读-仅有的 记忆/一个-时间 可编程序的
读-仅有的 记忆)
– 掩饰 选项 寄存器
记忆 特性 包含:
• 1232 字节 的 用户 非易失存储器, 加 第八 字节 为 用户 vectors
• 64 字节 的 用户 内存
2.2 unimplemented 记忆 locations
accessing 一个 unimplemented location 能 有 unpredictable 影响 在 mcu 运作. 在图示 2-2
和 在 寄存器 计算数量 在 这个 文档, unimplemented locations 是 shaded.
2.3 保留 记忆 locations
accessing 一个 保留 location 能 有 unpredictable 影响 在 mcu 运作. 在图示 2-2和 在
寄存器 计算数量 在 这个 文档, 保留 locations 是 marked 和 这 文字 保留 或者 和 这
letter r.
2.4 记忆 编排
看图示 2-1.