记忆
mc68hc705kj1 • mc68hrc705kj1 • mc68hlc705kj1 数据 薄板, rev. 4.1
26 freescale 半导体
2.7.2 非易失存储器 程序编制 寄存器
这 非易失存储器 程序编制 寄存器 (eprog) contains 这 控制 位 为 程序编制 这
非易失存储器/otprom.
elat — 非易失存储器 总线 获得 位
这个 读/写 位 latches 这 地址 和 数据buses 为 非易失存储器/otprom 程序编制. clearing
这 elat 位 automatically clears 这 epgm 位. 非易失存储器/otprom 数据 不能 是 读 当 这
elat 位 是 设置. 重置 clears 这 elat 位.
1 = 地址 和 数据 buses 配置 for 非易失存储器/otprom 程序编制 这 非易失存储器
0 = 地址 和 数据 buses 配置 为 正常的 运作
mpgm — mor 程序编制 位
这个 读/写 位 应用 程序编制 电源 从 这 irq
/v
PP
管脚 至 这 掩饰 选项 寄存器. 重置
clears mpgm.
1 = 程序编制 电压 应用 至 mor
0 = 程序编制 电压 不 应用 至 mor
epgm — 非易失存储器 程序编制 位
这个 读/写 位 应用 这 电压 从 这 irq
/v
PP
管脚 至 这 非易失存储器. 至 写 这 epgm 位, 这
elat 位 必须 是 设置 already. 重置 clears epgm.
1 = 程序编制 电压 (irq
/v
PP
管脚) 应用 至 非易失存储器
0 = 程序编制 电压 (irq
/v
PP
管脚) 不 应用 至 非易失存储器
便条
writing 逻辑 1s 至 两个都 这 elat 和 epgm 位 和 一个 单独的 操作指南
sets elat 和 clears epgm. elat 必须 是 设置 第一 用 一个 独立的
操作指南.
位 [7:3] — 保留
引领 这 下列的 步伐 至 program 一个 字节 的 非易失存储器/otprom:
1. 应用 这 程序编制 电压, v
PP
, 至 这 irq/v
PP
管脚.
2. 设置 这 elat 位.
3. 写 至 任何 非易失存储器/otprom 地址.
4. 设置 这 epgm 位 和 wait 为 一个 时间, t
EPGM
.
5. clear 这 elat 位.
2.7.3 非易失存储器 erasing
这 erased 状态 的 一个 非易失存储器 位 是 逻辑 0.擦掉 这 非易失存储器 用 exposing 它 至 15 ws/cm
2
的 ultraviolet
明亮的 和 一个 wavelength 的 2537 angstroms. 位置 这ultraviolet 明亮的 源 一个 inch 从 这 非易失存储器.
做 不 使用 一个 shortwave 过滤.
地址: $0018
位 7654321bit 0
读:00000
ELAT MPGM EPGM
写: RRRR
重置:00000000
= unimplemented R = 保留
图示 2-3. 非易失存储器 程序编制 寄存器 (eprog)
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