记忆
mc68hc705kj1 • mc68hrc705kj1 • mc68hlc705kj1 数据 薄板, rev. 4.1
28 freescale 半导体
swait — 停止-至-wait 转换 位
这 swait 位 使能 halt 模式. 当 这 swait 位 是 设置, 这 cpu interprets 这 停止 操作指南
作 一个 wait 操作指南, 和 这 mcu enters halt 模式. halt 模式 是 这 一样 作 wait 模式, 除了
那 一个 振荡器 stabilization 延迟 的 1 至 4064 t
cyc
occurs 之后 exiting halt 模式.
1 = halt 模式 使能
0 = halt 模式 不 使能
swpdi — 软件 pulldown inhibit 位
这 swpdi 位 inhibits 软件 控制 的 这 i/o端口 pulldown 设备. 这 swpdi 位 overrides 这
pulldown inhibit 位 在 这 port pulldown inhibit 寄存器.
1 = 软件 pulldown 控制 inhibited
0 = 软件 pulldown 控制 不 inhibited
pirq — 端口 一个 外部 中断 位
这 pirq 位 使能 这 pa0–pa3
管脚 至 函数 作 外部 中断 管脚.
1 = pa0–pa3 使能 作 外部 中断 管脚
0 = pa0–pa3 不 使能 作 外部 中断 管脚
水平的 —external 中断 敏锐的 位
这 水平的 位 控制 外部 中断 triggering 敏锐的.
1 = 外部 中断 triggered 用 起作用的 edges 和 起作用的 水平
0 = 外部 中断 triggered 仅有的 用 起作用的 edges
copen — cop 使能 位
这 copen 位 使能 这 cop 看门狗.
1 = cop 看门狗 使能
0 = cop 看门狗 无能
2.9 非易失存储器 程序编制 特性
表格 2-1. 非易失存储器 程序编制 特性
(1)
1. v
DD
= 5.0 vdc
±
10%, v
SS
= 0 vdc, t
一个
= –40
°
c 至 +85
°
C
典型的 Symbol 最小值 典型值 最大值 单位
程序编制 电压
IRQ
/v
PP
V
PP
16.0 16.5 17.0
V
程序编制 电流
IRQ
/v
PP
I
PP
—¦ 3.0 10.0
毫安
程序编制 时间
Per 一个rray用te
MOR
t
EPGM
t
MPGM
4
4
—
—
—
—
ms
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