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idt70v06s/l
高-速 16k x 8 双-端口 静态的 内存 工业的 和 商业的 温度 范围
注释:
1. 转变 是 量过的 0mv 从 低 或者 高-阻抗 电压 和 输出 测试 加载 (图示 2).
2. 这个 参数 是 有保证的 但是 不 测试.
3. 至 进入 sram,
CE
= v
IL
,
SEM
= v
IH
.
4. 'x' 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).
70V06X15
com'l 仅有的
70V06X20
com'l
&放大; ind
70V06X25
com'l
&放大; ind
单位标识 参数 最小值.最大值.最小值.最大值.最小值.最大值.
读 循环
t
RC
ReadCycle 时间 15
____
20
____
25
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
15
____
20
____
25 ns
t
ACE
碎片 使能 进入 时间
(3)
____
15
____
20
____
25 ns
t
AOE
输出 使能 进入 时间
(3)
____
10
____
12
____
13 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output low-z 德州仪器me
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output high-z 时间
(1,2)
____
10
____
12
____
15 ns
t
PU
碎片Enable至 电源 向上 时间
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
ChipDis能 至 po我们r 向下 时间
(1,2)
____
15
____
20
____
25 ns
t
SOP
semaphore 标记 更新 脉冲波 (
或者
)10
____
10
____
10
____
ns
t
SAA
semaphore 地址 进入
(3)
____
15
____
20
____
25 ns
2942 tbl 11一个
70V06X35
com'l
&放大; ind
70V06X55
com'l
&放大; ind
单位标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值
读 循环
t
RC
ReadCycle 时间 35
____
55
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
35
____
55 ns
t
ACE
碎片 使能 进入 时间
(3)
____
35
____
55 ns
t
AOE
输出 使能 进入 时间
(3)
____
20
____
30 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 3
____
3
____
ns
t
LZ
Output low-z 德州仪器me
(1,2)
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output high-z 时间
(1,2)
____
15
____
25 ns
t
PU
碎片Enable至 电源 向上 时间
(1,2)
0
____
0
____
ns
t
PD
ChipDis能 至 po我们r 向下 时间
(1,2)
____
35
____
50 ns
t
SOP
semaphore 标记 更新 脉冲波 (
或者
)15
____
15
____
ns
t
SAA
semaphore 地址 进入
(3)
____
35
____
55 ns
2942 tbl11b
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