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¡ 半导体
msm82c55a-2rs/gs/vjs
作 显示 在之上, 这 msm82c55a-2 satisfies 这 特性 的 这 msm82c55a-5.
参数
标识
msm82c55a-5 msm82c55a-2
地址 支撑 时间 为
WR
Rising
30 ns 最小 20 ns 最小
t
WA
WR
脉冲波 宽度 300 ns 最小 150 ns 最小
t
WW
数据 建制 时间 为
WR
Rising
1000 ns 最小 50 ns 最小
t
DW
数据 支撑 时间 为
WR
Rising
40 ns 最小 30 ns 最小
t
WD
定义 数据 输出 时间
从
WR
Rising
350 ns 最大 200 ns maximumt
WB
端口 数据 支撑 时间 为
RD
Rising 20 ns 最小 10 ns 最小
t
HR
ACK
脉冲波 宽度 300 ns 最小 100 ns 最小
t
AK
STB
脉冲波 宽度 300 ns 最小 100 ns 最小
t
ST
端口 数据 支撑 时间 为
STB
下落 180 ns 最小 50 ns 最小
t
PH
ACK
下落 至 定义 数据 输出 300 ns 最大 150 ns 最大
t
AD
WR
下落 至
OBF
下落 延迟 时间 650 ns 最大 150 ns 最大
t
WOB
ACK
下落 至
OBF
rising 延迟 时间 350 ns 最大 150 ns 最大
t
AOB
STB
下落 至 ibf rising 延迟 时间 300 ns 最大 150 ns 最大
t
SIB
RD
rising 至 ibf 下落 延迟 时间 300 ns 最大 150 ns 最大
t
RIB
RD
下落 至 intr 下落 延迟 时间 400 ns 最大 200 ns 最大
t
RIT
STB
rising 至 intr rising 延迟 时间 300 ns 最大 150 ns 最大
t
SIT
ACK
rising 至 intr rising 延迟 时间 350 ns 最大 150 ns 最大
t
AIT
WR
下落 至 intr 下落 延迟 时间 850 ns 最小 250 ns 最大
t
WIT
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