首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:938492
 
资料名称:SI4500BDY
 
文件大小: 78K
   
说明
 
介绍:
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
 
 


: 点此下载
  浏览型号SI4500BDY的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号SI4500BDY的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI4500BDY的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SI4500BDY的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号SI4500BDY的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号SI4500BDY的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号SI4500BDY的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4500BDY
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 72281
s-41428—rev.b, 26-jul-04
规格 (t
J
= 25
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs( h)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个
n-ch
0.6 1.5
V门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
250
一个
p-ch
0.6
1.5
V
身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v V
GS
=
12 v
n-ch
100
nA门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
12 v
p-ch
100
nA
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v
n-ch
1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
16 v, v
GS
= 0 v
p-ch
1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C
n-ch
5
一个
V
DS
=
16 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C
p-ch
5
状态 流 电流
b
I
d( )
V
DS
= 5 v, v
GS
= 4.5 v
n-ch
30
一个在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
=
5 v, v
GS
=
4.5 v
p-ch
20
一个
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 9.1 一个
n-ch
0.016 0.020
源 在 状态 阻抗
b
r
ds( )
V
GS
=
4.5 v, i
D
=
5.3 一个
p-ch
0.048 0.060
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 3.3 一个
n-ch
0.024 0.030
V
GS
=
2.5 v, i
D
=
1 一个
p-ch
0.082 0.100
向前 跨导
b
g
f
V
DS
= 15 v, i
D
= 9.1 一个
n-ch
29
S向前 跨导
b
g
fs
V
DS
=
15 v, i
D
=
5.3 一个
p-ch
11
S
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
= 2.1 一个, v
GS
= 0 v
n-ch
0.8 1.2
V二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
=
2.1 一个, v
GS
= 0 v
p-ch
0.8
1.2
V
动态
一个
总的 门 承担 Q
n-ch
11 17
总的 门 承担 Q
g
n-频道
p-ch
6.0 9
源 承担 Q
n-频道
V
DS
= 10 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 9.1 一个
n-ch
2.5
nC门-源 承担 Q
gs
p-频道
V 10 v
V 45 v i 53 一个
p-ch
1.3
nC
流 承担 Q
d
V
DS
=
10 v,
V
GS
=
4.5 v, i
D
=
5.3 一个
n-ch
3.2
门-流 承担 Q
gd
p-ch
1.6
转变 在 延迟 时间 t
d( )
n-ch
35 50
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
NCh l
p-ch
20 30
上升 时间 t
n-频道
V
DD
= 10 v, r
L
= 10
n-ch
50 80
上升 时间 t
r
V
DD
= 10 v,R
L
= 10
I
D
1
一个, v
GEN
= 10 v, r
g
= 6
p-ch
35 60
转变 止 延迟 时间 t
d( ff)
p-频道
V 10 v R 10
n-ch
31 50
ns转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
=
10 v, r
L
= 10
I
D
1
一个, v
GEN
=
4.5 v,R
g
= 6
p-ch
55 85
ns
下降 时间 t
f
I
D
1
一个, v
GEN
=
4.5 v,R
g
= 6
n-ch
15 30
下降 时间 t
f
p-ch
35 60
流 反转 恢复 时间 t
I
F
= 2.1 一个, di/dt = 100 一个/
s
n-ch
30 60
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=
2.1 一个, di/dt = 100 一个/
s
p-ch
25 50
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com