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资料编号:938492
 
资料名称:SI4500BDY
 
文件大小: 78K
   
说明
 
介绍:
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4500BDY
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码: 72281
s-41428—rev.b, 26-jul-04
典型 特性 (25
c 除非 指出) N−CHANNEL
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
012345
源-流二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
源-至-流 电压 (v) V
GS
门-至-源 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 9.1 一个
30
10
0
0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
I
D
= 3.3 一个
0
60
80
40
50
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
1 600
70
0.10.001
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25 0 25 50 75 100 125 150
门槛 voltage
T
J
温度 (
c)
I
D
= 250
一个
variance (v)V
gs(th)
0.01
safe 运行 范围
V
DS
流-至-源 电压 (v)
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
流 电流 (一个)I
D
p(t) = 10
直流
0.1
I
DM
限制
I
d(在)
限制
r
ds(在)
限制
BV
DSS
限制
p(t) = 1
p(t) = 0.1
p(t) = 0.01
p(t) = 0.001
10 100
30
20
10
p(t) = 0.0001
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