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资料编号:938492
 
资料名称:SI4500BDY
 
文件大小: 78K
   
说明
 
介绍:
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4500BDY
vishay siliconix
文档 号码: 72281
s-41428—rev.b, 26-jul-04
www.vishay.com
7
典型 特性 (25
c 除非 指出) p-频道
0
60
80
40
50
电源 (w)
单独的脉冲波 电源
时间 (秒)
1 600
70
0.10.001 0.01
10 100
30
20
10
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
50
25 0 25 50 75 100 125 150
门槛 voltage
T
J
温度 (
c)
I
D
= 250
一个
variance (v)V
gs(th)
safe 运行 范围
V
DS
流-至-源 电压 (v)
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
流 电流 (一个)I
D
p(t) = 10
直流
0.1
I
DM
限制
I
d(在)
限制
r
ds(在)
限制
BV
DSS
限制
p(t) = 1
p(t) = 0.1
p(t) = 0.01
p(t) = 0.0001
p(t) = 0.001
10
3
10
2
1 10 60010
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
Normalized热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 75
c/w
3. t
JM
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
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