Si4866DY
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
2
文档号码: 71699
s-03662—rev.b, 14-apr-03
场效应晶体管 规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个
0.6 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
8 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 9.6 v, v
GS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 9.6 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 70
C
5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 4.5
V
40 一个
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5
v,I
D
= 17
0.0045 0.0055
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 14 0.0065 0.008
向前 transconductance
一个
g
fs
V
DS
= 6 v, i
D
= 17 80 S
二极管 向前电压
一个
V
SD
I
S
= 2.7 一个, v
GS
= 0 v 0.70 1.1 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
21 30
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 6 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 17 一个
4.6
nC
门-流 承担 Q
gd
3.5
门 阻抗 R
G
1.5 2.3 3.9
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
28 42
上升 时间 t
r
V
DD
= 6 v, r
L
= 6
32 48
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 6 v,R
L
= 6
I
D
1 一个, v
GEN
= 4.5 v, r
G
= 6
82 123
ns
下降 时间 t
f
35 53
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 2.7 一个, di/dt = 100 一个/
s
60 90
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
10
20
30
40
50
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0
10
20
30
40
50
012345
V
GS
= 10 thru 2.5 v
25
C
T
C
= 125
C
-55
C
2 v
输出 特性 转移 特性
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
1.5 v
: 点此下载
