绝对 最大 比率
(便条 5)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
存储 温度 (t
STG
) −65˚C 至 +150˚C
最大 接合面 温度 (t
J
)
陶瓷的 +175˚C
V
EE
管脚 潜在的 至
地面 管脚 −7.0v 至 +0.5v
V
TTL
管脚 潜在的 至
地面 管脚 −0.5v 至 +6.0v
ECL 输入 电压 (直流) V
EE
至 +0.5v
ECL 输出 电流
(直流 输出 高) −50 毫安
TTL 输入 电压 (便条 7) −0.5v 至 +6.0v
TTL 输入 电流 (便条 7) −30 毫安 至 +5.0 毫安
电压 应用 至 输出 在 高 状态
触发-状态 输出 −0.5v 至 +5.5v
电流 应用 至 TTL
输出 在 低 状态 (最大值) 两次 这 评估 I
OL
(毫安)
静电释放 (便条 6)
≥
2000V
推荐 运行
情况
情况 温度 (t
C
)
军队 −55˚C 至 +125˚C
ECL 供应 电压 (v
EE
) −5.7v 至 −4.2v
TTL 供应 电压 (v
TTL
) +4.5v 至 +5.5v
便条 5:
绝对 最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 这 de-
恶行 将 是 损坏 或者 有 它的 有用的 生命 impaired. 函数的 运作
下面 这些 情况 是 不 暗指.
便条 6:
静电释放 测试 遵从 至 mil-标准-883, 方法 3015.
便条 7:
也 电压 限制 或者 电流 限制 是 sufficient 至 保护 输入.
军队 版本
ttl-至-ecl 直流 电的 特性
V
EE
=
−4.2v 至 −5.7v, V
CC
=
V
CCA
=
地, T
C
=
−55˚C 至 +125˚c, V
TTL
=
+4.5v 至 +5.5v
标识 参数 最小值 最大值 单位 T
C
情况 注释
V
OH
输出 高 电压 −1025 −870 mV 0˚C 至 加载 和
50
Ω
至 −2.0v
(注释 8, 9,
10)
+125˚C
−1085 −870 mV −55˚C V
在
=
V
IH
(最大值)
V
OL
输出 低 电压 −1830 −1620 mV 0˚C 至 或者 V
IL
(最小值)
+125˚C
−1830 −1555 mV −55˚C
截止 电压 −1950 mV 0˚C 至
+125˚C OE 或者 DIR 低
−1850 mV −55˚C
V
OHC
输出 高 电压 −1035 mV 0˚C 至 (注释 8, 9,
10)
+125˚C
−1085 mV −55˚C V
在
=
V
IH
(最小值) 加载 和
V
OLC
输出 低 电压 −1610 mV 0˚C 至 或者 V
IL
(最大值) 50
Ω
0 至 −2.0v
+125˚C
−1555 mV −55˚C
V
IH
输入 高 电压 2.0 V −55˚C 至 在 V
TTL
,v
EE
,t
C
范围 (注释 8, 9,
10, 11)
+125˚C
V
IL
输入 低 电压 0.8 V −55˚C 至 在 V
TTL
,v
EE
,t
C
范围 (注释 8, 9,
10, 11)
+125˚C
I
IH
输入 高 电流 70 µA −55˚C 至 V
在
=
+2.7v (注释 8, 9,
10)
125˚C
损坏 测试 1.0 毫安 −55˚C 至 V
在
=
+5.5v
+125˚C
I
IL
输入 低 电流 −1.0 毫安 −55˚C 至 V
在
=
+0.5v (注释 8, 9,
10)
+125˚C
V
FCD
输入 Clamp −1.2 V −55˚C 至 I
在
=
−18 毫安 (注释 8, 9,
10)
二极管 电压 +125˚ C
I
EE
V
EE
供应 电流 LE 低, OE 和 DIR 高 (注释 8, 9,
10)
−55˚C 至 输入 打开
−165 −73 毫安 +125˚C V
EE
=
−4.2v 至 −4.8v
−175 −73 V
EE
=
−4.2v 至 −5.7v
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