©2004 仙童 半导体 公司 1n5985b - 1n6025b, rev. c
zeners 1n5985b - 1n6025b
电的 特性
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
设备
V
Z
(v) @ i
Z
(便条 1)
测试 电流
I
Z
(毫安)
齐纳 阻抗 泄漏 电流
I
ZM
(毫安)
(便条 2)
最小值 典型值 最大值
Z
Z
@ i
Z
(
Ω
ΩΩ
Ω
)
Z
ZK
@ i
ZK
= 250
µ
µµ
µ
一个
(
Ω
ΩΩ
Ω
)
I
R
(毫安)
V
R
(v)
1N5985B
1N5986B
1N5987B
1N5988B
1N5989B
2.58
2.565
2.85
3.135
3.42
2.4
2.7
3
3.3
3.6
2.52
2.835
3.15
3.465
3.78
5
5
5
5
5
100
100
95
95
90
1800
1900
2000
2200
2300
100
75
50
25
15
1
1
1
1
1
208
185
167
152
139
1N5990B
1N5991B
1N5992B
1N5993B
1N5994B
3.705
4.085
4.465
4.845
5.32
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
4.095
4.515
4.935
5.355
5.88
5
5
5
5
5
90
88
70
50
25
2400
2500
2200
2050
1800
10
5
3
2
2
1
1
1.5
2
3
128
116
106
98
89
1N5995B
1N5996B
1N5997B
1N5998B
1N5999B
5.89
6.46
7.125
7.79
8.645
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
6.51
7.14
7.875
8.61
9.555
5
5
5
5
5
10
8
7
7
10
1300
750
600
600
600
1
1
0.5
0.5
0.1
4
5.2
6
6.5
7
81
74
67
61
55
1N6000B
1N6001B
1N6002B
1N6003B
1N6004B
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
10
11
12
13
15
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
5
5
5
5
5
15
18
22
25
32
600
600
600
600
600
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
8
8.4
9.1
9.9
11
50
45
42
38
33
1N6005B
1N6006B
1N6007B
1N6008B
1N6009B
15.2
17.1
19
20.9
22.8
16
18
20
22
24
16.8
18.9
21
23.1
25.2
5
5
5
5
5
36
42
48
55
62
600
600
600
600
600
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
12
14
15
17
18
31
28
25
23
21
1N6010B
1N6011B
1N6012B
1N6013B
1N6014B
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
27
30
33
36
39
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
5
5
5
5
2
70
78
88
95
130
600
600
700
700
800
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
21
23
25
27
30
19
17
15
14
13
Zeners
1n5985b - 1n6025b
绝对 最大 比率 *
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
* 这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 这 二极管 将 是 impaired.
标识 参数 值 单位
P
D
电源 消耗
@ tl
≤
75
°
c, 含铅的 长度 = 3/8”
500 mW
减额 在之上 75
°
c4.0mw/
°
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -65 至 +200
°
C
至ler一个nce=5%
做-35 glass 情况
颜色 带宽 denotes cathode
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