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资料编号:953407
 
资料名称:2SD1366A
 
文件大小: 24K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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2SD1366A
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
30 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
25 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
5V
集电级 电流 I
C
1A
集电级 顶峰 电流 i
c(顶峰)
*
1
1.5 一个
集电级 电源 消耗 P
C
*
2
1W
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
注释: 1. PW
10 ms, 职责 循环
20%.
2. 值 在 这 alumina 陶瓷的 板 (12.5
×
20
×
0.7 mm)
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
30 V I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
25 V I
C
= 1 毫安, r
=
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
5——VI
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
0.1
µ
AV
CB
= 20 v, i
E
= 0
发射级 截止 电流 I
EBO
0.1
µ
AV
EB
= 4 v, i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
*
1
85 240 V
CE
= 2 v, i
C
= 0.5 一个, 脉冲波
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
0.15 0.3 V I
C
= 0.8 一个, i
B
= 0.08 一个, 脉冲波
根基 至 发射级 饱和
电压
V
是(sat)
0.9 1.0 V I
C
= 0.8 一个, i
B
= 0.08 一个, 脉冲波
增益 带宽 产品 f
T
240 MHz V
CE
= 2 v, i
C
= 0.5 一个, 脉冲波
集电级 输出 电容 Cob 22 pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0, f = 1 mhz
便条: 1. 这 2sd1366a 是 grouped 用 h
FE
作 跟随.
Mark 交流 AD
h
FE
85 至 170 120 至 240
看 典型的 曲线 的 2sd1366.
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