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资料编号：953439
 
资料名称：2SD669A
 
文件大小： 36K
   
说明：
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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2sd669, 2sd669a
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
比率
Item 标识 2SD669 2SD669A 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
180 180 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
120 160 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
55V
集电级 电流 I
C
1.5 1.5 一个
集电级 顶峰 电流 I
c(顶峰)
33A
集电级 电源 消耗 P
C
11W
P
C
*
1
20 20 W
接合面 温度 Tj 150 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 –55 至 +150
°
C
便条: 1. 值 在 t
C
= 25
°
c.
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