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资料编号:953439
 
资料名称:2SD669A
 
文件大小: 36K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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2sd669, 2sd669a
5
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1 3 30 30010 100 1,000
根基 至 发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流
集电级 电流 i
C
(毫安)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(v)
I
C
= 10 i
B
75
25
T
C
= –25
°
C
240
200
160
120
80
40
0
10 300
增益 带宽 产品 f
T
(mhz)
1,00010030
集电级 电流 i
C
(毫安)
增益 带宽 产品
vs. 集电级 电流
V
CE
= 5 v
ta = 25
°
C
200
100
50
20
10
5
2
110
集电级 输出 电容 c
ob
(pf)
502052
集电级 至 根基 电压 v
CB
(v)
100
集电级 输出 电容
vs. 集电级 至 根基 电压
f = 1 mhz
I
E
= 0
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