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资料编号:95696
 
资料名称:7025E
 
文件大小: 524.28K
   
说明
 
介绍:
(8K x 16-Bit) Dual Port RAM High-Speed CMOS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
记忆
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所有 数据 薄板 是 主题 至 改变 没有 注意
©2002 maxwell 科技
所有 权利 保留.
(8k x 16-位) 双 端口内存 高-速 cmos
7025E
08.15.02 rev 2
F
IGURE
7. t
IMING
W
AVEFORM
W
RITE
C
YCLE
N
O
. 2, csC
ONTROLLED
T
IMING
1,2,3,5
F
IGURE
8. t
IMING
W
AVEFORM
W
RITE
BUSY(
从动装置
)
1. r/w必须 是 高 在 所有 地址 transitions.
2. 一个 写 occurs 在 这 overlap (t
SW
至 t
WF
3. t.
WF
是 量过的 从 这 早期 的 cs 或者 r/w(或者 sem或者 r/w
4. 在 这个 时期, 这 i/o 管脚 是 在 这输出 状态, 和 输入 信号 必须 不 是 应用.
5. 如果 这 cs
或者 sem低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 之后 这 r/w 低 转变, 这 输出 仍然是 在 这
高 阻抗 状态.
6. transitions 量过的 = 500 mv 从 稳步的 状态 和 一个 5 pf 加载 (包含 scope 和 jig). 这个 参数 是 sam-
ple 和 不 100% 测试.
7. 如果 oe
是 低 在 一个 r/w控制 写 循环, 这 写 脉冲波宽度 必须 是 这 大 的 二 或者 (t
WZ
+t
DW
) 至 准许
这 i/o 驱动器 至 转变 止 和 数据 至 是 放置 在 这 总线 为 这 必需的 t
DW
. 如果 oe是 高 在 一个 r/w控制
写 循环, 这个 必要条件 做 不 应用 和 这 write 脉冲波 能 是 作 短的 作 这 指定 t
WP
.
8. 至 进入 内存, cs
= v
IL
, sem= v
IH
.
9. 至 进入 upper 字节, cs
= v
IL
, ub= v
IL
, sem= v
IH
.
至 进入 更小的 字节, cs
= v
IL
, lb= v
IL
, sem= v
IH
.
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