7025E_集成电路资料查询网

记忆
17
所有 数据 薄板 是 主题 至 改变 没有 注意
©2002 maxwell 科技
所有 权利 保留.
(8k x 16-位) 双 端口内存 高-速 cmos
7025E
08.15.02 rev 2
F
IGURE
14. t
IMING
W
AVEFORM
的
S
EMAPHORE
C
ONTENTION
1,3,4
1. D
或者
= d
OL
= v
IL
, cs
R
= cs
L
= v
IH
, semaphore 标记 是 released 从 两个都 sides(读 作 ones 从 两个都 sides) 在
循环 开始.
2. 也 一侧 “a” = left 和 一侧 “b” = 正确的, 或者 一侧 “a” = 正确的 和 一侧 “b” = left.
3. 这个 参数 是 量过的 从 这 要点 在哪里 r/w
一个
或者 sem
一个
变得 高 直到 r/w
B
或者 sem
B
变得 高.
4. 如果 t
SPS
是 violated, 这 semaphore 将 下降 positively 至 一个 side 或者 这 其它, 但是 那里 是 非 guaranty 这个 一侧 将
获得 这 标记.

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

记忆 17 所有数据薄板是主题至改变没有注意 ©2002 maxwell 科技所有权利保留. (8k x 16-位) 双端口内存高-速 cmos 7025E 08.15.02 rev 2 F IGURE 14. t IMING W AVEFORM 的 S EMAPHORE C ONTENTION 1,3,4 1. D 或者 = d OL = v IL , cs R = cs L = v IH , semaphore 标记是 released 从两个都 sides(读作 ones 从两个都 sides) 在循环开始. 2. 也一侧 “a” = left 和一侧 “b” = 正确的, 或者一侧 “a” = 正确的和一侧 “b” = left. 3. 这个参数是量过的从这要点在哪里 r/w 一个或者 sem 一个变得高直到 r/w B 或者 sem B 变得高. 4. 如果 t SPS 是 violated, 这 semaphore 将下降 positively 至一个 side 或者这其它, 但是那里是非 guaranty 这个一侧将获得这标记.

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com