产品 信息
输入 电容
典型地一个1µF或者大电容是推荐-
ed为C
在
在大多数产品.一个 C
在
电容是
不 必需的 为 基本 运作, 不管怎样, 它 是 使用-
ful 在 阻止 加载 过往旅客 从 影响 向上
stream电路.C
在
应当是located作关闭至
这 设备 v
在
管脚 作 practically 可能. 陶瓷的,
tantalum 或者 铝 electrolytic 电容 将
是选择为C
在
.那里是非明确的电容
等效串联电阻 必要条件 为 c
在
. 不管怎样, 为 高等级的 cur-
rent 运作, 陶瓷的 电容 是 recom-
mended 为 c
在
预定的 至 它们的 固有的 能力 在
tantalum 电容 至 承受 输入 电流
surges从低阻抗来源此类作bat-
teries 在 可携带的 设备.
输出 电容
为 恰当的 回转 运作, 一个 0.1µf 电容 或者
更好 在 vout 和 地 是 必需的.
likewise, 和 这 输出 电容, 那里 是 非 spe-
cific 电容 等效串联电阻 必要条件. 如果 desired, C
输出
maybe 增加 没有 限制 至 accommodate 任何
加载 瞬时 情况 没有 反而 影响
这 回转 比率.
使能 函数
这 aat4250 特性 一个 使能 / 使不能运转 函数.
这个 管脚 (在) 是 起作用的 高 和 是 兼容 和
TTL 或者 cmos 逻辑. 至 使确信 这 加载 转变 将
转变在,这在控制水平的必须是更好比
2.0 伏特. 这 加载 转变 将 go 在 关闭
模式当这电压在这在管脚falls在下
0.8 伏特. 当 这 加载 转变 是 在 关闭
模式,这输出 管脚是tristated,和安静的cur-
rent drops 至 泄漏 水平 在下 1µa.
反转 输出 至 输入 电压
情况 和 保护
下面 正常的 运行 情况 一个 parasitic
二极管 exists 在 这 输出 和 输入 的 这
加载 转变. 这 输入 电压 应当 总是
仍然是更好比这输出加载电压主要的-
taining 一个 反转 偏差 在 这 内部的 parasitic
二极管.情况在哪里V
输出
might超过V
在
应当 是 避免 自从 这个 将 向前 偏差
这 内部的 parasitic 二极管 和 准许 过度的
电流 流动 在 这 v
输出
管脚 和 possibly 损坏
这 加载 转变.
在产品在哪里那里是一个possibility的V
输出
exceedingV
在
为brief时期的时间在也不-
mal 运作, 这 使用 的 一个 大 值 c
在
capaci-
tor 是 高级地 推荐. 一个 大 值 的 C
在
和遵守至C
输出
将效应一个slowerC
在
decay
比率 在 关闭, 因此 阻止 V
输出
从
exceeding V
在
. 在 产品 在哪里 那里 是 一个
更好 危险 的V
输出
exceeding v
在
为 扩展
时期 的 时间, 它 是 推荐 至 放置 一个 schot-
tky 二极管 从 v
在
至 v
输出
(连接 这 cathode
至 v
在
和 anode 至 v
输出
). 这 肖特基 二极管 为-
ward 电压 应当 是 较少 然后 0.45 伏特.
热的 仔细考虑 和 高
输出 电流 产品
这AAT4250是设计至deliver一个持续的
输出加载电流.这限制的典型的为
最大 safe 运行 输出 加载 电流 是
包装 电源 消耗. 在 顺序 至 获得 高
运行 电流, 细致的 设备 布局 和 电路
运行 情况 需要 至 是 带去 在 账户.
这 下列的 discussions 将 假设 这 加载
转变是挂载在一个打印电路板utiliz-
ing 这 最小 推荐 footprint 作 陈述
在 这 布局 仔细考虑 部分.
在 任何 给 包围的 温度 (t
一个
) 这 maxi-
mum 包装 电源 消耗 能 是 deter-
mined 用 这 下列的 等式:
P
d(最大值)
= [t
j(最大值)
- t
一个
] /
Θ
JA
Constants为这 aat4250是最大接合面
温度, t
j(最大值)
= 125°c, 和 包装 热的
阻抗,
Θ
JA
= 150°c/w. worst 情况 情况
是 计算 在 这 最大 运行 tempera-
ture在哪里T
一个
=85°c.典型情况是cal-
culated 下面 正常的 包围的 情况 在哪里 t
一个
=25°c.在T
一个
=85°c,P
d(最大值)
=267mw. 在T
一个
=
25°c, p
d(最大值)
= 667mw.
这 最大 持续的 输出 电流 为 这
aat4250 是 一个 函数 的 这 包装 电源 dissi-
pation 和 这 r
DS
的 这 场效应晶体管 在 t
j(最大值)
. 这
最大R
DS
的这场效应晶体管 在T
j(最大值)
是calcu-
lated 用 增加 这 最大 房间 tempera-
tureR
DS
用这R
DS
温度系数.这
温度 系数 (tc) 是 2800ppm/°c.
因此, 在 125°c
R
ds(最大值)
= r
ds(25°c)
×
(1 + tc
×
∆
t)
R
ds(最大值)
= 175m
Ω
×
(1 + .002800
×
(125°c
-
25°c))
R
ds(最大值)
= 224m
Ω
AAT4250
回转 比率 控制 加载 转变
8
4250.2001.12.0.94
: 点此下载
