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LTC3719
sn3719 3719fs
INTV
CC
调整器
一个 内部的 p-频道 低 落后 调整器 生产 5v
在 这 intv
CC
管脚 从 这 v
在
供应 管脚. 这 intv
CC
调整器 powers 这 驱动器 和 内部的 电路系统 的 这
ltc3719. 这 intv
CC
管脚 调整器 能 供应 向上 至 50ma
顶峰 和 必须 是 绕过 至 电源 地面 和 一个
最小 的 4.7
µ
f tantalum 或者 electrolytic 电容. 一个
额外的 1
µ
f 陶瓷的 电容 放置 非常 关闭 至 这
ic 是 推荐 预定的 至 这 极其 高 instanta-
neous 电流 必需的 用 这 场效应晶体管 门 驱动器.
高 输入 电压 产品 在 这个 大 mosfets
是 正在 驱动 在 高 发生率 将 导致 这 maxi-
mum 接合面 温度 比率 为 这 ltc3719 至 是
超过. 这 供应 电流 是 dominated 用 这 门
承担 供应 电流, 在 增加 至 这 电流 描绘
从 这 差别的 放大器 输出. 这 门 承担 是
依赖 在 运行 频率 作 discussed 在 这
效率 仔细考虑 部分. 这 供应 电流 能
也 是 有提供的 用 这 内部的 5v 调整器 或者 通过 这
EXTV
CC
管脚. 当 这 电压 应用 至 这 extv
CC
管脚
是 较少 比 4.7v, 所有 的 这 intv
CC
加载 电流 是 有提供的
用 这 内部的 5v 直线的 调整器. 电源 消耗 为
这 ic 是 高等级的 在 这个 情况 用 (i
在
)(v
在
– intv
CC
) 和
效率 是 lowered. 这 接合面 温度 能 是
estimated 用 使用 这 equations 给 在 便条 1 的 这
电的 特性. 为 例子, 这 ltc3719 v
在
电流 是 限制 至 较少 比 24ma 从 一个 24v 供应:
T
J
= 70
°
c + (24ma)(24v)(85
°
c/w) = 119
°
C
使用 的 这 extv
CC
管脚 减少 这 接合面 temperature␣ 至:
T
J
= 70
°
c + (24ma)(5v)(85
°
c/w) = 80.2
°
C
这 输入 供应 电流 应当 是 量过的 当 这
控制 是 运行 在 持续的 模式 在 最大
V
在
和 这 电源 消耗 计算 在 顺序 至
阻止 这 最大 接合面 温度 从 正在
超过.
EXTV
CC
连接
这 ltc3719 包含 一个 内部的 p-频道 场效应晶体管
转变 连接 在 这 extv
CC
和 intv
CC
管脚.
当 这 电压 应用 至 extv
CC
rises 在之上
4.7v, 这
内部的 调整器 是 转变 止 和 一个 内部的 转变
closes, 连接 这 extv
CC
管脚 至 这 intv
CC
管脚
因此 供应 内部的 和 场效应晶体管 门 驱动 电源
至 这 ic. 这 转变 仍然是 关闭 作 长 作 这 电压
应用 至 extv
CC
仍然是 在之上 4.5v. 这个 准许 这
场效应晶体管 驱动器 和 控制 电源 至 是 获得 从 一个
独立的 5v 供应 在 正常的 运作 (4.7v <
V
EXTVCC
< 7v) 和 从 这 内部的 调整器 当 这
外部 5v 供应 是 不 有. 做 不 应用 更好
比 7v 至 这 extv
CC
管脚 和 确保 那 extv
CC
< v
在
+
0.3v 当 使用 这 应用 电路 显示.
如果 一个
外部 电压 源 是 应用 至 这 extv
CC
管脚 当
这 v
在
供应 是 不 呈现, 一个 二极管 能 是 放置 在
序列 和 这 ltc3719’s v
在
管脚 和 一个 肖特基 二极管
在 这 extv
CC
和 这 v
在
管脚, 至 阻止 电流
从 backfeeding v
在
.
topside 场效应晶体管 驱动器 供应 (c
B
,d
B
) (谈及 至
函数的 图解)
外部 自举 电容 c
B1
和 c
B2
连接 至
这 boost1 和 boost2 管脚 供应 这 门 驱动
电压 为 这 topside mosfets. 电容 c
B
在 这
函数的 图解 是 charged though 二极管 d
B
从
INTV
CC
当 这 sw 管脚 是 低. 当 这 topside 场效应晶体管
转变 在, 这 驱动器 places 这 c
B
电压 横过 这 门-
源 的 这 desired 场效应晶体管. 这个 enhances 这 场效应晶体管
和 转变 在 这 topside 转变. 这 转变 node 电压,
sw, rises 至 v
在
和 这 boost 管脚 rises 至 v
在
+ v
INTVCC
.
这 值 的 这 boost 电容 c
B
needs 至 是 30 至 100
时间 那 的 这 总的 输入 电容 的 这 topside
场效应晶体管(s). 这 反转 损坏 的 d
B
必须 是 更好
比 v
在(最大值).
这 最终 arbiter 当 defining 这 最好的 门 驱动 放大器-
tude 水平的 将 是 这 输入 供应 电流. 如果 一个 改变 是
制造 那 减少 输入 电流, 这 效率 有
改进. 如果 这 输入 电流 做 不 改变 然后 这
效率 有 不 changed 也.
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