首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:96496
 
资料名称:LTC3719EG
 
文件大小: 451.45K
   
说明
 
介绍:
2-Phase, High Efficiency, Step-Down Controller for AMD Opteron CPUs
 
 


: 点此下载
  浏览型号LTC3719EG的Datasheet PDF文件第18页
18
浏览型号LTC3719EG的Datasheet PDF文件第19页
19
浏览型号LTC3719EG的Datasheet PDF文件第20页
20
浏览型号LTC3719EG的Datasheet PDF文件第21页
21

22
浏览型号LTC3719EG的Datasheet PDF文件第23页
23
浏览型号LTC3719EG的Datasheet PDF文件第24页
24
浏览型号LTC3719EG的Datasheet PDF文件第25页
25
浏览型号LTC3719EG的Datasheet PDF文件第26页
26
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
22
LTC3719
sn3719 3719fs
效率 仔细考虑
这 百分比 效率 的 一个 切换 调整器 是 equal 至
这 输出 电源 分隔 用 这 输入 电源 时间 100%.
它 是 常常 有用的 至 analyze 单独的 losses 至 决定
what 是 限制的 这 效率 和 这个 改变 将
生产 这 大多数 改进. 百分比 效率 能 是
表示 作:
%efficiency = 100% – (l1 + l2 + l3 + ...)
在哪里 l1, l2, 等 是 这 单独的 losses 作 一个 percentage
的 输入 电源.
虽然 所有 dissipative elements 在 这 电路 生产
losses, 四 主要的 来源 通常地 账户 为 大多数 的 这
losses 在 ltc3719 电路: 1) i
2
r losses, 2) topside
场效应晶体管 转变 losses, 3) intv
CC
调整器 电流
和 4) ltc3719 v
电流 (包含 加载 在 这
差别的 放大器 输出).
1) i
2
r losses 是 predicted 从 这 直流 抵制 的 这
fuse (如果 使用), 场效应晶体管, inductor, 电流 sense resistor,
和 输入 和 输出 电容 等效串联电阻. 在 持续的 模式
这 平均 输出 电流 flows 通过 l 和 r
SENSE
,
但是 是 “chopped” 在 这 topside 场效应晶体管 和 这
同步的 场效应晶体管. 如果 这 二 mosfets 有 approxi-
mately 这 一样 r
ds(在)
, 然后 这 阻抗 的 一个
场效应晶体管 能 simply 是 summed 和 这 抵制 的 l,
R
SENSE
和 等效串联电阻 至 获得 i
2
r losses. 为 例子, 如果 各自
R
ds(在)
= 10m
, r
L
= 10m
, 和 r
SENSE
= 5m
, 然后 这
总的 阻抗 是 25m
. 这个 结果 在 losses ranging
从 2% 至 8% 作 这 输出 电流 增加 从 3a 至
15a 每 输出 平台 为 一个 5v 输出, 或者 一个 3% 至 12% 丧失
每 输出 平台 为 一个 3.3v 输出. 效率 varies 作 这
inverse 正方形的 的 v
输出
为 这 一样 外部 组件
和 输出 电源 水平的. 这 联合的 影响 的 increas-
ingly 更小的 输出 电压 和 高等级的 电流 必需的
用 高 效能 数字的 系统 是 不 doubling 但是
APPLICATIO s i ATIO
WUU
U
quadrupling 这 重要 的 丧失 条款 在 这 切换
调整器 system!
2) 转变 losses 应用 仅有的 至 这 topside 场效应晶体管(s),
和 是 重大的 仅有的 当 运行 在 高 输入
电压 (典型地 12v 或者 更好). 转变 losses 能
是 estimated 从:
转变 丧失 V
I
Cf
O 最大值
RSS
=
(.)
()
17
2
2
3) intv
CC
电流 是 这 总 的 这 场效应晶体管 驱动器 和
控制 电流. 这 场效应晶体管 驱动器 电流 结果 从
切换 这 门 电容 的 这 电源 mosfets.
各自 时间 一个 场效应晶体管 门 是 切换 从 低 至 高 至
低 又一次, 一个 小包装板盒 的 承担 dq moves 从 intv
CC
地面. 这 结果 dq/dt 是 一个 电流 输出 的 intv
CC
是 典型地 更 大 比 这 控制 电路 电流. 在
持续的 模式, i
GATECHG
= (q
T
+ q
B
), 在哪里 q
T
和 q
B
是 这 门 charges 的 这 topside 和 bottom 一侧
mosfets.
供应 intv
CC
电源 通过 这 extv
CC
转变 输入
从 一个 输出-获得 源 将 规模 这 v
电流
必需的 为 这 驱动器 和 控制 电路 用 这 比率
(职责 因素)/(效率). 为 例子, 在 一个 20v 至 5v
应用, 10ma 的 intv
CC
电流 结果 在 approxi-
mately 3ma 的 v
电流. 这个 减少 这 mid-电流
丧失 从 10% 或者 更多 (如果 这 驱动器 是 powered 直接地
从 v
) 至 仅有的 一个 few 百分比.
4) 这 v
电流 有 二 组件: 这 第一 是 这
直流 供应 电流 给 在 这 电的 特性
表格, 这个 excludes 场效应晶体管 驱动器 和 控制 cur-
rents; 这 第二 是 这 电流 描绘 从 这 差别的
放大器 输出. v
电流 典型地 结果 在 一个 小
(<0.1%) 丧失.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com