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ADG839
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测试 电路
04449-003
SD
V
S
V
I
DS
图示 19. 在 阻抗
SD
V
S
V
D
I
S
(止) I
D
(止)
一个 一个
04449-004
图示 20. 止 泄漏
SD
V
D
I
D
(在)
NC
一个
04449-005
图示 21. 在 泄漏
04449-006
V
输出
t
在
t
止
V
在
50% 50%
V
在
50% 50%
90% 90%
D
地
R
L
50
Ω
C
L
35pF
V
DD
V
输出
V
S
V
在
V
DD
0.1
µ
F
在
S2
S1
图示 22. 切换 时间, t
在
, t
止
04449-007
V
输出
V
在
t
BBM
t
BBM
80% 80%
D
在
地
R
L
50
Ω
C
L
35pF
V
DD
V
输出
V
S
V
DD
0.1
µ
F
S2
S1
V
在
图示 23. 破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
BBM
04449-008
V
在
(正常情况下
关闭 转变)
V
在
(正常情况下
打开 转变)
V
输出
在
Q
INJ
= c
L
×∆
V
输出
止
∆
V
输出
在
地
V
DD
V
DD
0.1
µ
F
V
S
C
L
1nF
V
输出
NC
S2
S1
D
图示 24. 承担 injection

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ADG839 rev. 0 \| 页 12 的 16 测试电路 04449-003 SD V S V I DS 图示 19. 在阻抗 SD V S V D I S (止) I D (止) 一个一个 04449-004 图示 20. 止泄漏 SD V D I D (在) NC 一个 04449-005 图示 21. 在泄漏 04449-006 V 输出 t 在 t 止 V 在 50% 50% V 在 50% 50% 90% 90% D 地 R L 50 Ω C L 35pF V DD V 输出 V S V 在 V DD 0.1 µ F 在 S2 S1 图示 22. 切换时间, t 在 , t 止 04449-007 V 输出 V 在 t BBM t BBM 80% 80% D 在地 R L 50 Ω C L 35pF V DD V 输出 V S V DD 0.1 µ F S2 S1 V 在图示 23. 破裂-在之前-制造时间延迟, t BBM 04449-008 V 在 (正常情况下关闭转变) V 在 (正常情况下打开转变) V 输出在 Q INJ = c L ×∆ V 输出止 ∆ V 输出在地 V DD V DD 0.1 µ F V S C L 1nF V 输出 NC S2 S1 D 图示 24. 承担 injection

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