首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:966551
 
资料名称:AM28F020-150PEB
 
文件大小: 509K
   
说明
 
介绍:
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
 
 


: 点此下载
  浏览型号AM28F020-150PEB的Datasheet PDF文件第15页
15
浏览型号AM28F020-150PEB的Datasheet PDF文件第16页
16
浏览型号AM28F020-150PEB的Datasheet PDF文件第17页
17
浏览型号AM28F020-150PEB的Datasheet PDF文件第18页
18

19
浏览型号AM28F020-150PEB的Datasheet PDF文件第20页
20
浏览型号AM28F020-150PEB的Datasheet PDF文件第21页
21
浏览型号AM28F020-150PEB的Datasheet PDF文件第22页
22
浏览型号AM28F020-150PEB的Datasheet PDF文件第23页
23
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Am28F020 19
routine (6 µs 持续时间) 必须 是 executed 至 准许 为
一代 的 内部的 电压 为 余裕 checking 和
在 程序-verification (部分 f) 各自 字节 just
编写程序 是 读 至 对比 排列 数据 和 原来的
sired 地址 是 编写程序. 应当 一个 字节 失败 至 ver-
ify, reprogram 这 字节 (repeat 部分 一个 thru f). 各自
数据 改变 sequence 准许 这 设备 至 使用 向上 至
25 程序 脉冲 每 字节. 典型地, 字节 是 核实
algorithm 定时 延迟
那里 是 四 不同的 定时 延迟 有关联的 和
这 flasherase
和 flashrite
algorithms:
1. 这 第一 延迟 是 有关联的 和 这 v
PP
上升-时间
当 v
PP
第一 转变 在. 这 电容 在 这 v
PP
总线 导致 一个 rc ramp. 之后 切换 在 这 v
PP
,
这 延迟 必需的 是 proportional 至 这 号码 的
设备 正在 erased 和 这 0.1 mf/设备. v
PP
必须 reach 它的 最终 值 100 ns 在之前 commands
是 executed.
2. 这 第二 延迟 时间 是 这 擦掉 时间 脉冲波 宽度
这 local 微处理器 至 时间 输出 这 延迟. 这
擦掉 运作 必须 是 terminated 在 这 conclu-
sion 的 这 定时 routine 或者 较早的 至 executing 任何
系统 中断 那 将 出现 在 这 擦掉
运作. 至 确保 恰当的 设备 运作, 写
3. 一个 第三 延迟 时间 是 必需的 为 各自 程序编制
脉冲波 宽度 (10 ms). 这 程序编制 algorithm 是
interactive 和 核实 各自 字节 之后 一个 程序
脉冲波. 这 程序 运作 必须 是 terminated 在
这 conclusion 的 这 定时 routine 或者 较早的 至 exe-
cuting 任何 系统 中断 那 将 出现 在
这 程序编制 运作.
4. 一个 四th 定时 延迟 有关联的 和 两个都 这
flasherase 和 flashrite algorithms 是 这 write re-
覆盖y 时间 (6 ms). during 这个 时间 内部的 circuitry
是 changing 电压 水平 从 这 擦掉/ 程序
水平的 至 那些 使用 为 余裕 核实 和 读 oper-
ations. 一个 attempt 至 读 这 设备 在 这个 pe-
riod 将 结果 在 可能 false 数据 (它 将 呈现
软件 定时 routines 应当 是 写 在
机器 language 为 各自 的 这 延迟. 代号 写
在 机器 language 需要 知识 的 这 appro-
priate 微处理器 时钟 速 在 顺序 至 accu-
rately 时间 各自 延迟.
并行的 设备 erasure
许多 产品 将 使用 更多 than 一个 flash
记忆 设备. 总的 擦掉 时间 将 是 使减少到最低限度 用
implementing 一个 并行的 擦掉 algorithm. flash
memories 将 擦掉 在 不同的 比率. 因此 各自
设备 必须 是 核实 separately. 当 一个 设备 是
阻止 further erasure. 这 其它 设备 将 continue
至 擦掉 直到 核实. 这 masking 代号 应用 可以
是 这 读 command (00h).
电源-向上/电源-向下 sequence
这 设备 powers-向上 在 这 读 仅有的 模式. 电源
供应 sequencing 是 不 必需的. 便条 那 如果 v
CC
1.0 volt, 这 电压 区别 在 v
PP
和 v
CC
应当 不 超过 10.0 伏特. 也, 这 设备 有 v
PP
上升 时间 和 下降 时间 规格 的 500 ns 最小.
重置 command
这 重置 command initializes 这 flash 记忆 de-
恶行 至 这 读 模式. 在 增加, 它 也 提供 这
这 重置 command 必须 是 写 二 consecutive
时间 之后 这 建制 程序 command (40h). 这个 将
重置 这 设备 至 这 读 模式.
下列的 任何 其它 flash command 写 这 重置
command once 至 这 设备. 这个 将 safely abort 任何
previous 运作 和 initialize 这 设备 至 这
读 模式.
这 建制 程序 command (40h) 是 这 仅有的 com-
mand 那 需要 一个 二 sequence 重置 循环. 这
第一 重置 command 是 interpreted 作 程序 数据.
不管怎样, ffh 数据 是 考虑 无效的 数据 在 pro-
gramming 行动 (记忆 cells 是 仅有的 pro-
grammed 从 一个 logical “1” 至 “0”). 这 第二 重置
command safely aborts 这 程序编制 运作
和 resets 这 设备 至 这 读 模式.
这个 详细地 信息 是 为 your 涉及. 它 将
prove easier 至 总是 公布 这 重置 command 二
consecutive 时间. 这个 排除 这 需要 至 deter-
程序编制 在-系统
flash memories 能 是 编写程序 在-系统 或者 在 一个
标准 prom programmer. 这 设备 将 是 sol-
dered 至 这 电路 板 在之上 receipt 的 运送 和
编写程序 在-系统. alternatively, 这 设备 将
initially 是 编写程序 在 一个 prom programmer 较早的
至 焊接 这 设备 至 这 板.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com