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资料编号:968893
 
资料名称:APT8030LVFR
 
文件大小: 62K
   
说明
 
介绍:
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
 
 


: 点此下载
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1

2
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4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
动态 特性
050-5592 rev b
Z
θ
JC
, 热的 阻抗 (
°
c/w)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0 10
rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
图示 1, 最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-情况 vs 脉冲波 持续时间
0.3
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
便条:
职责 因素 d =
t
1
/
t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JC
+ t
C
t
1
t
2
P
DM
0.1
单独的 脉冲波
0.02
0.05
0.2
d=0.5
0.01
APT8030LVFR
源-流 二极管 比率 和 特性
典型的 / 测试 情况
持续的 源 电流 (身体 二极管)
搏动 源 电流
1
(身体 二极管)
二极管 向前 电压
2
(v
GS
= 0v, i
S
= -i
D
[cont.])
顶峰 二极管 恢复
dv
/
dt
5
反转 恢复 时间
(i
S
= -i
D
[cont.],
di
/
dt
= 100a/
µ
s)
反转 恢复 承担
(i
S
= -i
D
[cont.],
di
/
dt
= 100a/
µ
s)
顶峰 恢复 电流
(i
S
= -i
D
[cont.],
di
/
dt
= 100a/
µ
s)
标识
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
单位
放大器
伏特
v/ns
ns
µ
C
放大器
标识
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
(在)
t
r
t
d
(止)
t
f
典型的
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
总的 门 承担
3
门-源 承担
门-流 ("miller") 承担
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
测试 情况
V
GS
= 0v
V
DS
= 25v
f = 1 mhz
V
GS
= 10v
V
DD
= 0.5 v
DSS
I
D
= i
D
[cont.] @ 25
°
C
V
GS
= 15v
V
DD
= 0.5 v
DSS
I
D
= i
D
[cont.] @ 25
°
C
R
G
= 0.6
最小值 典型值 最大值
6600 7900
645 900
320 480
340 510
31 47
170 250
16 32
14 28
59 90
816
单位
pF
nC
ns
最小值 典型值 最大值
27
108
1.3
5
T
j
= 25
°
C
300
T
j
= 125
°
C
600
T
j
= 25
°
C
2.0
T
j
= 125
°
C
6.7
T
j
= 25
°
C
13
T
j
= 125
°
C
22
1
repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面
3
看 mil-标准-750 方法 3471
温度.
4
开始 t
j
=
+25
°
c, l = 6.86mh, r
G
=
25
, 顶峰 i
L
= 27a
2
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 380
µ
s, 职责 循环 < 2%
5
I
S
-i
D
[cont.],
di
/
dt
= 100a/
µ
s, v
DD
V
DSS
,
T
j
150
°
c, r
G
= 2.0
,
V
R
= 200v.
apt reserves 这 正确的 至 改变, 没有 注意, 这 规格 和 信息 包含 在此处.
热的 特性
标识
R
θ
JC
R
θ
JA
最小值 典型值 最大值
0.24
40
单位
°
c/w
典型的
接合面 至 情况
接合面 至 包围的
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