AT28C64B
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页 模式 写 波形
(1)(2)
注释: 1. a6 通过 a12 必须 具体说明 这 一样 页 地址 在 各自 高 至 低 转变 的 我们(或者 ce).
2. OE必须 是 高 仅有的 当 我们和 ce是 两个都 低.
碎片 擦掉 波形
t
S
= t
H
= 1 µsec (最小值.)
t
W
= 10 msec (最小值.)
V
H
= 12.0
±
0.5v
页 模式 特性
标识 参数 最小值 最大值 单位
t
WC
写 循环 时间 10 ms
t
WC
写 循环 时间 (选项 有; 联系 atmel 销售 办公室 为
订货 部分 号码)
02ms
t
作
地址 建制 时间 0 ns
t
AH
地址 支撑 时间 50 ns
t
DS
数据 建制 时间 50 ns
t
DH
数据 支撑 时间 0 ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 100 ns
t
BLC
字节 加载 循环 时间 150 µs
t
WPH
写 脉冲波 宽度 高 50 ns