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AT91M55800A
1745B
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ATARM
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数据 总线 宽度
一个 数据 总线 宽度 的 8 或者 16 位 能 是 选择 为 各自 碎片 选择. 这个 选项 是 con-
trolled 用 这 dbw 地方 在 这 ebi_csr (碎片-选择 寄存器) 为 这 相应的
碎片 选择.
图示 6 显示 如何 至 连接 一个 512k x 8-位 记忆 在 ncs2.
图示 6.
记忆 连接 为 一个 8-位 数据 总线
图示 7 显示 如何 至 连接 一个 512k x 16-位 记忆 在 ncs2.
图示 7.
记忆 连接 为 一个 16-位 数据 总线
字节-写 或者 字节-选择
进入
各自 碎片 选择 和 一个 16-位 数据 总线 能 运作 和 一个 的 二 不同的 类型 的
写 进入:
•
字节-写 进入 支持 二 字节-写 和 一个 单独的 读 信号.
•
字节-选择 进入 选择 upper 和/或者 更小的 字节 和 二 字节-选择 线条, 和
独立的 读 和 写 信号.
这个 选项 是 控制 用 这 bat 地方 在 这 ebi_csr (碎片-选择 寄存器) 为 这
相应的 碎片 选择.
字节-写 进入 是 使用 至 连接 2 x 8-位 设备 作 一个 16-位 记忆 页.
•
这 信号 a0/nlb 是 不 使用.
•
这 信号 nwr1/nub 是 使用 作 nwr1 和 使能 upper 字节 写.
•
这 信号 nwr0/nwe 是 使用 作 nwr0 和 使能 更小的 字节 写.
•
这 信号 nrd/noe 是 使用 作 nrd 和 使能 half-文字 和 字节 读.
图示 8 显示 如何 至 连接 二 512k x 8-位 设备 在 并行的 在 ncs2.
EBI
d0 - d7
d8 - d15
a1 - a18
A0
NWR0
NRD
NCS2
d0 - d7
a1 - a18
A0
写 使能
输出 使能
记忆 使能
NWR1
EBI
d0 - d7
d8 - d15
a1 - a19
NLB
NWE
NOE
NCS2
d0 - d7
d8 - d15
a0 - a18
低 字节 使能
写 使能
输出 使能
记忆 使能
NUB 高 字节 使能
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