AT89S8252
4-125
flash 和 可擦可编程只读存储器 并行的 程序编制 模式
注释: 1. “h” = weakly 牵引的 “high” 内部.
2. 碎片 擦掉 和 串行 程序编制 fuse 需要 一个 10-ms prog脉冲波. 碎片 擦掉 needs 至 是 执行 第一 在之前
reprogramming 任何 字节 和 一个 内容 其它 比 ffh.
3. p3.4 是 牵引的 低 在 程序编制 至 表明 rdy/bsy.
4. “x” = don’t 小心
模式 RST PSEN ale/prog EA/v
PP
p2.6 p2.7 p3.6 p3.7
数据 i/o
p0.7:0
地址
p2.5:0 p1.7:0
串行 prog. 模式 H h
(1)
h
(1)
x
碎片 擦掉 H L 12V H L L L X X
写 (10k 字节) 记忆 H L 12V L H H H DIN 地址
读 (10k 字节) 记忆 H L H 12V L L H H DOUT 地址
写 锁 位: H L 12V H L H L DIN X
位 - 1 p0.7 = 0 X
位 - 2 p0.6 = 0 X
位 - 3 p0.5 = 0 X
读 锁 位: H L H 12V H H L L DOUT X
位 - 1 @p0.2 X
位 - 2 @p0.1 X
位 - 3 @p0.0 X
读 atmel 代号 H L H 12V L L L L DOUT 30H
读 设备 代号 H L H 12V L L L L DOUT 31H
串行 prog. 使能 H L 12V L H L H p0.0 = 0 X
串行 prog. 使不能运转 H L 12V L H L H p0.0 = 1 X
读 串行 prog. fuse H L H 12V H H L H @p0.0 X
(2)
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