brt21/ 22/ 23
文档 号码 83690
rev. 1.4, 10-jan-05
vishay 半导体
www.vishay.com
3
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小 和 最大 值 是 测试 (所需的)东西. 典型 values 是 特性 的 这设备 和 是 这 结果 的 engineering
evaluation. 典型 值 是 为 信息仅有的 和 是 不 部分 的 这 测试 (所需的)东西.
输入
输出
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= 10 毫安 V
F
1.16 1.35 V
反转 电流 V
R
= 6.0 v I
R
0.1 10
µ
一个
电容 V
F
= 0 v, f = 1.0 mhz C
O
25 pF
热的 阻抗, 接合面 至
包围的
R
thja
750 k/w
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
止-状态 电压 I
d(rms)
= 70
µ
AV
d(rms)
424 460 V
repetitive 顶峰 止-状态 电压 I
DRM
= 100
µ
AV
DRM
600 V
止-状态 电流 V
D
= v
DRM
, t
amb
= 100 °c,
I
F
= 0 毫安
I
d(rms)
10 100
µ
一个
在-状态 电压 I
T
= 300 毫安 V
TM
1.7 3.0 V
在-状态 电流 pf = 1.0, v
t(rms)
= 1.7 v I
TM
300 毫安
surge (非-repetitive), 在-状态
电流
f = 50 hz I
TSM
3.0 一个
触发 电流 温度 gradient
∆
I
FT1
/
∆
T
j
7.0 14
µ
一个/k
∆
I
FT2
/
∆
T
j
7.0 14
µ
一个/k
inhibit 电压 温度 gradient
∆
V
DINH
/
∆
T
j
-20 mv/k
止-状态 电流 在 inhibit 状态 I
F
= i
FT1
, v
DRM
I
DINH
50 200
µ
一个
支持 电流 I
H
65 500
µ
一个
闭锁 电流 V
T
= 2.2 v I
L
5.0 毫安
零 交叉 inhibit 电压 I
F
= 评估 i
FT
V
IH
15 25 V
转变-在 时间 V
RM
= v
DM
= v
d(rms)
t
在
35
µ
s
转变-止 时间 pf = 1.0, i
T
= 300 毫安 t
止
50
µ
s
核心的 比率 的 上升 的 止-状态
电压
V
D
= 0.67 v
DRM
, t
J
= 25 °C dv/dt
cr
10000 v/
µ
s
V
D
= 0.67 v
DRM
, t
J
= 80 °C dv/dt
cr
5000 v/
µ
s
核心的 比率 的 上升 的 电压 在
电流 commutation
V
D
= 0.67 v
DRM
,
di/dt
crq
≤
15 一个/ms, t
j
= 25 °C
dv/dt
crq
10000 v/
µ
s
V
D
= 0.67 v
DRM
,
di/dt
crq
≤
15 一个/ms, t
j
= 80 °C
dv/dt
crq
5000 v/
µ
s
核心的 比率 的 上升 的 在-状态 di/dt
cr
8.0 一个/
µ
s
热的 阻抗, 接合面 至
包围的
R
thja
125 k/w
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