飞利浦 半导体 产品 规格
Thyristor bt169w 序列
逻辑 水平的
热的 抵制
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th j-sp
热的 阻抗 - - 15 k/w
接合面 至 焊盘 要点
R
th j-一个
热的 阻抗 pcb 挂载, 最小 footprint - 156 - k/w
接合面 至 包围的 pcb 挂载; 垫子 范围 作 在 图:14 - 70 - k/w
静态的 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
GT
门 触发 电流 V
D
= 12 v; i
T
= 10 毫安; 门 打开 电路 - 50 200
µ
一个
I
L
闭锁 电流 V
D
= 12 v; i
GT
= 0.5 毫安; r
GK
= 1 k
Ω
-26ma
I
H
支持 电流 V
D
= 12 v; i
GT
= 0.5 毫安; r
GK
= 1 k
Ω
-25ma
V
T
在-状态 电压 I
T
= 2 一个 - 1.35 1.5 V
V
GT
门 触发 电压 V
D
= 12 v; i
T
= 10 毫安; 门 打开 电路 - 0.5 0.8 V
V
D
= v
drm(最大值)
; i
T
= 10 毫安; t
j
= 125 ˚c; 0.2 0.3 - V
门 打开 电路
I
D
, i
R
止-状态 泄漏 电流 V
D
= v
drm(最大值)
; v
R
= v
rrm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c; - 0.05 0.1 毫安
R
GK
= 1 k
Ω
动态 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
dV
D
/dt 核心的 比率 的 上升 的 V
DM
=67% v
drm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c; - 25 - v/
µ
s
止-状态 电压 exponential 波形; r
GK
= 1k
Ω
t
gt
门 控制 转变-在 I
TM
= 2 一个; v
D
= v
drm(最大值)
; i
G
= 10 毫安; - 2 -
µ
s
时间 dI
G
/dt = 0.1 一个/
µ
s
t
q
电路 commutated V
D
= 67% v
drm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c; - 100 -
µ
s
转变-止 时间 I
TM
= 1.6 一个; v
R
= 35 v; di
TM
/dt = 30 一个/
µ
s;
dV
D
/dt = 2 v/
µ
s; r
GK
= 1 k
Ω
九月 1997 2 rev 1.200