飞利浦 半导体
buk7277-55a
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 规格 rev. 01 — 1 二月 2001 5 的 13
9397 750 07698
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8. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 0.25 毫安; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C55
−−
V
T
j
=
−
55
°
C50
−−
V
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
; 图示 9
T
j
=25
°
C 234V
T
j
= 175
°
C1
−−
V
T
j
=
−
55
°
C
−−
4.4 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=55v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C
−
0.05 10
µ
一个
T
j
= 175
°
C
−−
500
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
=0V
−
2 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
=10a;图示 7 和 8
T
j
=25
°
C
−
65 77 m
Ω
T
j
= 175
°
C
−−
154 m
Ω
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz; 图示 12
−
316 422 pF
C
oss
输出 电容
−
92 110 pF
C
rss
反转 转移 电容
−
64 87 pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=30v;r
L
= 1.2
Ω
;v
GS
=10v;r
G
=10
Ω−
10
−
ns
t
r
上升 时间
−
50
−
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
−
70
−
ns
t
f
下降 时间
−
40
−
ns
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 流 含铅的 从 包装 至
centre 的 消逝
−
2.5
−
nH
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 从 包装 至
源 bond 垫子
−
7.5
−
nH