飞利浦 半导体
buk75/7626-100b
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 11 april 2003 5 的 15
9397 750 11238
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5. 特性
表格 4: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏
电压
I
D
= 0.25 毫安; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C 100 - - V
T
j
=
−
55
°
c89--v
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
;
图示 9
T
j
=25
°
C234V
T
j
= 175
°
c1--v
T
j
=
−
55
°
C - - 4.4 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
= 100 v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C - 0.02 1
µ
一个
T
j
= 175
°
C - - 500
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
= 0 V - 2 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态
阻抗
V
GS
=10v; i
D
=25a;
图示 7 和 8
T
j
=25
°
C - 22 26 m
Ω
T
j
= 175
°
c--65m
Ω
动态 特性
Q
g(tot)
总的 门 承担 V
GS
=10v; v
DD
=80v;
I
D
=25a;图示 14
-38-nc
Q
gs
门-源 承担 - 9 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 13 - nC
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
=25v;
f = 1 mhz; 图示 12
- 2168 2891 pF
C
oss
输出 电容 - 238 286 pF
C
rss
反转 转移 电容 - 102 140 pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 30 v; r
L
= 1.2
Ω
;
V
GS
=10v; r
G
=10
Ω
-21-ns
t
r
上升 时间 - 40 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 47 - ns
t
f
下降 时间 - 19 - ns
L
d
内部的 流 电感 从 流 含铅的 6 mm 从
包装 至 centre 的 消逝
- 4.5 - nH
从 联系 screw 在
挂载 根基 至 centre 的
消逝 sot78
- 3.5 - nH
从 upper 边缘 的 流
挂载 根基 至 centre 的
消逝 sot404
- 2.5 - nH
L
s
内部的 源 电感 从 源 含铅的 6 mm 从
包装 至 源 bond 垫子
- 7.5 - nH
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