cny75(g) 序列
Vishay
半导体
rev. a4, 11–jan–996 (12)
频道 i
频道 ii
100
W
50
W
+ 5 v
Oscilloscope
R
L
w
1 m
W
C
L
v
20 pf
I
C
= 10 毫安 ;
调整 通过
输入 振幅
I
F
I
F
R
G
= 50
W
t
p
t
p
= 50
m
s
T
= 0.01
0
95 10891
图示 3. 测试 电路, 非-saturated 运作
频道 i
频道 ii
1 k
W
50
W
+ 5 v
Oscilloscope
R
L
w
1 m
W
C
L
v
20 pf
I
C
I
F
I
F
R
G
= 50
W
t
p
t
p
= 50
m
s
T
= 0.01
0
14944
图示 4. 测试 电路, saturated 运作
t
p
t
t
0
0
10%
90%
100%
t
r
t
d
t
在
t
s
t
f
t
止
I
F
I
C
96 11698
t
p
脉冲波 持续时间
t
d
延迟 时间
t
r
上升 时间
t
在
(= t
d
+ t
r
) 转变-在 时间
t
s
存储 时间
t
f
下降 时间
t
止
(= t
s
+ t
f
) 转变-止 时间
图示 5. 切换 时间
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定)
0
50
100
150
200
250
300
0 40 80 120
p – 总的 电源 消耗 ( mw )
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
96 11700
tot
结合 设备
Phototransistor
ir-二极管
图示 6. 总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
– 向前 电压 ( v )
96 11862
F
i – 向前 电流 ( 毫安 )
图示 7. 向前 电流 vs. 向前 电压